[发明专利]一种新型结构加强的次声波传感器

权利要求书

1.一种结构加强的次声波传感器，包括至少一个双面压电陶瓷元件(1)和封装壳体(2)，在双面压电陶瓷元件(1)上连接有导线(3)；所述封装壳体(2)中贯穿设有一具有内侧壁的柱状内凹部(10)，在内凹部(10)中设有双面压电陶瓷元件(1)；其特征在于：所述内凹部(10)的内侧壁上部设有内螺纹(4)；对应所述内螺纹(4)在内凹部(10)中螺纹连接有螺纹套筒(5)；所述螺纹套筒(5)的顶端向上延伸至超出所述封装壳体(2)的顶端面；所述螺纹套筒(5)的内腔上部紧密配合有套管(6)，套管(6)的上部向上延伸至超出螺纹套筒(5)的顶端面，且在套管(6)超出所述螺纹套筒(5)的顶端面部分套接有压缩螺母(7)；所述导线(3)依次向上通过内凹部(10)、螺纹套筒(5)、套管(6)以及压缩螺母(7)的内腔后延伸至封装壳体(2)的外部；位于所述套管(6)内腔部分的导线(3)的外部紧密包裹有护套层(8)；所述套管(6)的内侧壁与护套层(8)的外侧壁为紧密配合；所述双面压电陶瓷元件(1)位于内凹部(10)的下部，且双面压电陶瓷元件(1)的下端面与所述内凹部(10)的底端面之间具有一定的间距；所述双面压电陶瓷元件(1)和导线(3)与所述内凹部(10)之间的间隙通过防水胶水层(9)密封填充。

2.根据权利要求1所述的一种结构加强的次声波传感器，其特征在于：位于所述封装壳体(2)外部的导线(3)上连接有信号调理模块(11)。

3.根据权利要求1所述的一种结构加强的次声波传感器，其特征在于：所述内凹部(10)由上内凹部(100)和下内凹部(101)组成；所述上内凹部(100)和下内凹部(101)均呈柱状，且上内凹部(100)的底面直径小于所述下内凹部(101)的顶面直径。

4.根据权利要求1所述的一种结构加强的次声波传感器，其特征在于：所述封装壳体(2)的形状为圆形、环形、三角形、矩形或多边形。

5.根据权利要求1所述的一种结构加强的次声波传感器，其特征在于：所述双面压电陶瓷元件(1)的形状为圆形、环形、三角形、矩形或多边形。

6.根据权利要求1所述的一种结构加强的次声波传感器，其特征在于：所述双面压电陶瓷元件(1)下端面与所述内凹部(10)的底端面之间的间距为0.6mm-1.5mm。

7.根据权利要求1所述的一种结构加强的次声波传感器，其特征在于：所述双面压电陶瓷元件(1)的底端固定安装在PCB板(12)上；所述双面压电陶瓷元件(1)的上端面上粘贴有泡沫缓冲垫(13)。

8.根据权利要求1所述的一种结构加强的次声波传感器，其特征在于：所述防水胶水层(9)为环氧树脂胶。