[发明专利]半导体器件、封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

互连结构，位于半导体衬底上方，所述互连结构包括多个第一导电焊盘；

第一介电层，位于所述互连结构上方；

多个接合焊盘通孔，位于所述第一介电层内，所述多个接合焊盘通孔中的每个接合焊盘通孔包括：

第一阻挡层，沿着所述第一介电层的侧壁延伸并且位于所述多个第一导电焊盘中的第一导电焊盘上方；以及

第一导电材料，位于所述第一阻挡层上方，其中，所述第一导电材料的顶面和所述第一阻挡层的顶面共面；

第二介电层，位于所述第一介电层上方；以及

多个第一接合焊盘，位于所述第二介电层内，所述多个第一接合焊盘中的每个第一接合焊盘包括：

第二阻挡层，沿着所述第二介电层的侧壁延伸并且位于所述第一导电材料和所述多个接合焊盘通孔中的第一接合焊盘通孔的所述第一阻挡层上，其中，所述第二阻挡层完全覆盖所述第一导电材料的顶面和所述第一接合焊盘通孔的所述第一阻挡层的顶面；

第二导电材料，位于所述第二阻挡层上方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第三介电层，在所述第一介电层、所述互连结构和所述半导体衬底的侧壁上方延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二介电层在所述第三介电层和所述第一介电层上方延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：铝焊盘，位于所述第一介电层内，其中，所述铝焊盘接触所述多个第一导电焊盘中的第一导电焊盘。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述多个接合焊盘通孔中的接合焊盘通孔接触所述铝焊盘。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：钝化层，在所述多个第一导电焊盘上方延伸，所述多个接合焊盘通孔延伸穿过所述钝化层。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个第一导电焊盘中的相邻的第一导电焊盘横向分隔开2μm和20μm之间的距离。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二阻挡层包括钛、氮化钛、钽或氮化钽。

9.一种封装件，包括：

第一管芯，包括：

第一金属化层；

一个或多个第一接合焊盘通孔，位于所述第一金属化层上，其中，第一阻挡层在每个第一接合焊盘通孔和所述第一金属化层之间延伸横跨所述第一金属化层；以及

一个或多个第一接合焊盘，位于所述一个或多个第一接合焊盘通孔上，其中，第二阻挡层在所述第一接合焊盘和所述第一接合焊盘通孔之间延伸横跨每个第一接合焊盘通孔；以及

第二管芯，包括一个或多个第二接合焊盘，其中，第二接合焊盘接合至所述第一管芯的第一接合焊盘。

10.一种形成封装件的方法，包括：

在半导体衬底的顶面上形成互连结构，所述互连结构包括第一导电焊盘；

在所述互连结构上方形成第一介电层；

蚀刻所述第一介电层以形成暴露所述第一导电焊盘的第一开口；

在所述第一介电层中的所述第一开口内沉积第一阻挡层；

在所述第一开口内和所述第一阻挡层上沉积第一导电材料；

在所述第一介电层上方形成第二介电层；

蚀刻所述第二介电层以形成暴露所述第一导电材料的第二开口；

在所述第二介电层中的所述第二开口内沉积第二阻挡层；

在所述第二开口内和所述第二阻挡层上沉积第二导电材料；以及

将半导体管芯接合至所述第二介电层，所述半导体管芯包括接合层和接合焊盘，其中，所述接合将所述半导体管芯的接合层接合至所述第二介电层，并且将所述半导体管芯的接合焊盘接合至所述第二导电材料。