[发明专利]薄膜晶体管基板及显示面板有效
申请号: | 202010896802.0 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN111883545B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 黄建龙 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示 面板 | ||
本申请提供一种薄膜晶体管及显示面板,在薄膜晶体管基板中,有源层包括第一部分、第二部分和连接在第一部分与第二部分之间的中间部分,第一部分的延伸方向与中间部分的延伸方向重合;第一栅极和第二栅极分别与中间部分重叠设置;源极连接于第一部分,漏极连接于第二部分。本申请通过变更有源层的形状,以压缩有源层在垂直方向或水平方向的宽度,进而提高开口率。
技术领域
本申请涉及一种显示技术领域,特别涉及一种薄膜晶体管基板及显示面板。
背景技术
在面板行业中,开口率是衡量面板的重要指标,其指的是一个子像素中透光的面积与整个子像素的面积之比。随着市场对分辨率的要求越来越高,如何设计出高开口率的面板是各企业努力发展的方向。
在目前像素设计中,影响开口率的因素主要为扫描线与数据线的线路宽度。而扫描线方向的宽度主要受有源层对应于子像素的部分在垂直方向的宽度影响。而现有的有源层对应于子像素的部分一般是“U”形,导致有源层对应于薄膜晶体管的部分在垂直方向的宽度过大,进而促使子像素的开口率较低。
发明内容
本申请实施例提供一种薄膜晶体管基板及显示面板,以解决现有的显示面板因有源层对应于薄膜晶体管的部分在垂直方向的宽度过大,导致子像素的开口率较低的技术问题。
本申请实施例提供一种薄膜晶体管基板,所述薄膜晶体管基板包括:
多条扫描线,所述扫描线沿着第一方向延伸设置;
多条数据线,所述数据线沿着第二方向延伸设置,所述数据线的延伸方向与所述扫描线的延伸方向交叉设置形成交叉处;以及
多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述交叉处附近;
所述薄膜薄膜晶体管包括:
有源层,所述有源层包括第一部分、第二部分和连接在所述第一部分与所述第二部分之间的中间部分,所述第一部分的延伸方向与所述中间部分的延伸方向重合;
第一栅极,所述第一栅极连接于所述扫描线,所述第一栅极与所述中间部分重叠设置;
第二栅极,所述第二栅极连接于所述扫描线,所述第二栅极与所述中间部分重叠设置;
源极,所述源极连接于所述数据线,所述源极电连接于所述第一部分;以及
漏极,所述漏极电连接于所述第二部分。
在本申请实施例所述的薄膜晶体管基板中,所述第二部分的延伸方向与所述中间部分的延伸方向重合。
在本申请实施例所述的薄膜晶体管基板中,所述中间部分的延伸方向平行于所述扫描线的延伸方向。
在本申请实施例所述的薄膜晶体管基板中,所述第一栅极的延伸方向垂直于所述扫描线的延伸方向,所述第二栅极的延伸方向垂直于所述扫描线的延伸方向。
在本申请另一实施例所述的薄膜晶体管基板中,所述第二部分的延伸方向与所述中间部分的延伸方向相交。
在本申请另一实施例所述的薄膜晶体管基板中,所述中间部分的延伸方向平行于所述数据线的延伸方向。
在本申请另一实施例所述的薄膜晶体管基板中,所述数据线分别与所述第一栅极和所述第二栅极重叠设。
在本申请另一实施例所述的薄膜晶体管基板中,在所述薄膜晶体管基板的俯视图中,所述第一栅极的延伸方向垂直于所述数据线的延伸方向,所述第二栅极的延伸方向垂直于所述数据线的延伸方向。
在本申请另一实施例所述的薄膜晶体管基板中,所述数据线与所述中间部分重叠设置。
在本申请另一实施例所述的薄膜晶体管基板中,所述扫描线包括间隔设置的第一段和第二段,所述第一栅极与所述第二栅极相对设置;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010896802.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:改进型耐火砖及其砌成的防下沉防坍塌的双膛窑内环墙
- 下一篇:鱼塘供氧装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的