[发明专利]MIM电容的制作方法

权利要求书

1.一种MIM电容的制作方法，其特征在于，包括：

通过光刻工艺在MIM电容薄膜上除目标区域的其它区域覆盖光阻，所述MIM电容薄膜从下至上依次包括第一电极层、电介质层和第二电极层；

刻蚀至所述目标区域的电介质层的目标深度，去除所述目标区域的第二电极层；

对刻蚀过程中产生的反应副产物进行第一次清除处理，所述第一次清除处理的反应气体包括氯气；

对所述反应副产物进行第二次清除处理，所述第二次清除处理的反应气体包括氧气或氮气；

去除所述光阻。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质层包括氮化硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一电极层从下而上依次包括铝层、钛层和第一氮化钛层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二电极层包括第二氮化钛层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一氮化钛层的厚度为200埃至2000埃。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为50埃至1000埃。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述钛层的厚度为50埃至500埃。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二氮化钛层的厚度为500埃至3000埃。