[发明专利]平行垂错双坡面阴极互包络弧门控结构的发光背光源

说明书

本发明公开了一种平行垂错双坡面阴极互包络弧门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件，所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上有阳极垫膜基层、阳极合续线银层和薄发光层，所述的阳极垫膜基层和阳极合续线银层相连，所述的薄发光层制作在阳极垫膜基层上面；在后硬透玻璃板上有平行垂错双坡面阴极互包络弧门控结构。具有发光背光源的发光灰度可调节性能良好的优点。

技术领域

本发明属于半导体科学与技术领域、微电子科学与技术领域、纳米科学与技术领域、真空科学与技术领域、平面显示技术领域、光电子科学与技术领域以及集成电路科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面发光背光源的制作，具体涉及到一种碳纳米管阴极的平面发光背光源的制作，特别涉及到一种平行垂错双坡面阴极互包络弧门控结构的发光背光源及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管是一种具有纳米数量级管径的中空材料，在外电场强度的作用下能够进行电子发射。故而，碳纳米管的这种特性被利用起来，用于形成真空元器件的面阴极材料。在发光背光源中，碳纳米管阴极就是重要的组成部分之一，碳纳米管所发射的电子用于形成阴极电流，促使发光背光源能够正常运转。但是，在三极结构的发光背光源中，还存在着一些技术难题有待克服。第一，碳纳米管阴极的电子发射效率十分低下。在碳纳米管层中，大部分的碳纳米管都不发射电子，既浪费了碳纳米管阴极的制作面积，又形成了无效阴极；仅有少部分碳纳米管能够发射电子，且发射的电子数量又不多。整体而言，碳纳米管阴极所提供的阴极电子很少。这样，对碳纳米管阴极来说，所发射的电子数量是不足以形成发光背光源所需的大阴极电流的。对于无效的碳纳米管阴极部分，要尽可能将其进行处理，使其能够进行电子发射，从而转变为有效的碳纳米管阴极。第二，发光背光源中，门极电压对碳纳米管阴极的控制性能也比较差。门极电压的本质作用就是在碳纳米管层表面形成大的电场强度，进而迫使碳纳米管进行大量电子发射。要知道，没有足够大的电场强度，碳纳米管层使无法发射电子的，这就需要门极电压的强有力促进作用。若门极电压无法形成强大的电场强度，那也就失去了对碳纳米管阴极的调控。这些技术难题还需进一步认真研究。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于克服上述发光背光源中存在的缺陷和不足而提供一种发光背光源的发光均匀性性能优异的、发光背光源的发光灰度可调节性能良好的平行垂错双坡面阴极互包络弧门控结构的发光背光源及其制作工艺。

技术方案：本发明的平行垂错双坡面阴极互包络弧门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件，所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上有阳极垫膜基层、阳极合续线银层和薄发光层，所述的阳极垫膜基层和阳极合续线银层相连，所述的薄发光层制作在阳极垫膜基层上面；在后硬透玻璃板上有平行垂错双坡面阴极互包络弧门控结构。