[发明专利]具有有源区域凹凸部的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路IC结构，包括：

第一晶体管，包括沿第一方向延伸的第一栅极以及分别位于所述第一栅极的相对侧的第一源极/漏极区域；

第二晶体管，包括沿所述第一方向延伸的第二栅极以及分别位于所述第二栅极的相对侧的第二源极/漏极区域；

隔离区域，横向位于所述第一晶体管和所述第二晶体管之间，其中，第一个所述第一源极/漏极区域具有第一源极/漏极延伸部，该第一源极/漏极延伸部沿基本上垂直于所述第一方向并远离所述第一栅极的第二方向从所述隔离区域的第一边界突出，并且第一个所述第二源极/漏极区域具有第二源极/漏极延伸部，该第二源极/漏极延伸部沿基本上垂直于所述第一方向并远离所述第二栅极的第三方向从所述隔离区域的第二边界突出；以及

第一栅极延伸部，沿所述第二方向从所述第一栅极延伸到与所述隔离区域交叠的位置。

2.根据权利要求1所述的IC结构，还包括：

第二栅极延伸部，沿所述第三方向从所述第二栅极延伸到与所述隔离区域交叠的位置。

3.根据权利要求2所述的IC结构，其中，所述第二栅极延伸部与所述第一栅极延伸部分开的距离大于将所述第一源极/漏极延伸部与所述第二源极/漏极延伸部分开的距离。

4.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第一栅极延伸部延伸超过所述隔离区域的第一边界达第一非零距离，并且所述第一源极/漏极延伸部从所述隔离区域的第一边界突出达第二非零距离，所述第二非零距离大于所述第一非零距离。

5.根据权利要求1所述的IC结构，还包括：

第二栅极延伸部，所述第二栅极延伸部从所述第二栅极延伸超过所述隔离区域的第二边界达第一非零距离，并且所述第二源极/漏极延伸部从所述隔离区域的第二边界突出达第二非零距离，所述第二非零距离大于所述第一非零距离。

6.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第一源极/漏极延伸部与所述第二源极/漏极延伸部合并。

7.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述第一晶体管还包括体接触区域，所述体接触区域具有与所述第一源极/漏极区域的导电类型相反的导电类型，并且所述体接触区域通过所述第一栅极延伸部与第一个所述第一源极/漏极区域分开。

8.根据权利要求7所述的IC结构，其中，所述第一栅极延伸部未将所述体接触区域与第二个所述第一源极/漏极区域分开。

9.一种集成电路IC结构，包括：

衬底，包括底部半导体层、所述底部半导体层之上的绝缘体层、以及所述绝缘体层之上的顶部半导体层；

第一封闭隔离区域，从截面图看，所述第一封闭隔离区域被形成在所述顶部半导体层中，并且从俯视图看，所述第一封闭隔离区域被封闭在所述顶部半导体层的第一有源区域内；

第一栅极结构，位于所述第一封闭隔离区域的第一侧，并与所述第一有源区域形成第一晶体管；以及

第二栅极结构，位于所述第一封闭隔离区域的与所述第一封闭隔离区域的所述第一侧相对的第二侧，所述第二栅极结构与所述第一有源区域形成第二晶体管，其中，所述第一晶体管的源极/漏极区域与所述第二晶体管的源极/漏极区域合并，并且从俯视图看，所述第一晶体管和所述第二晶体管的合并的源极/漏极区域限定所述第一封闭隔离区域的下边界。

10.一种用于形成集成电路结构的方法，包括：

在衬底中形成隔离区域以在所述衬底中限定有源区域，其中，从俯视图看，所述隔离区域具有围绕所述有源区域的外部隔离区域以及至少部分地被所述有源区域围绕的内部隔离区域，并且所述有源区域具有第一凹凸部和第二凹凸部，所述第一凹凸部从所述内部隔离区域的第一侧朝向所述内部隔离区域的与所述内部隔离区域的第一侧相对的第二侧突出，并且所述第二凹凸部从所述内部隔离区域的第二侧朝向所述内部隔离区域的第一侧突出；

在所述有源区域之上形成第一栅极结构，其中，从所述俯视图看，所述第一栅极结构包括与所述内部隔离区域的第一侧基本上平行地延伸的第一部分，以及延伸超过所述内部隔离区域的第一侧的第二部分；以及

对所述有源区域进行掺杂以分别在所述第一栅极结构的第一部分的相对侧形成第一源极/漏极区域，其中，所述第一源极/漏极区域的一部分被形成在所述有源区域的第一凹凸部上。