[发明专利]一种蚀刻TFT铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液在审
| 申请号： | 202010898060.5 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN111876780A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 詹洪;邹玲;张诗杨;郭文勇;罗晓锋;陆飚 | 申请（专利权）人： | 武汉迪赛新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18 |
| 代理公司： | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人： | 余晓雪 |
| 地址： | 436070 湖北省鄂州*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 tft 铜钼合层 硫酸铵 体系 | ||
【权利要求书】：
1.一种蚀刻TFT铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液，其特征在于，其由以下重量百分含量的原料组成：5%~30%的过硫酸铵、0.01%~1%稳定剂、0.1%~10%调节剂、0.05%~0.5%缓蚀剂A、0.05%~0.5%缓蚀剂B和余量的超纯水；
所述稳定剂为磺酸化合物；
所述调节剂为含多个羧基的有机膦酸；
所述缓蚀剂A为三乙醇胺硼酸酯；
所述缓蚀剂B为含氮的杂环化合物。
2.根据权利要求1所述的过硫酸铵体系蚀刻液，其特征在于，所述稳定剂选自甲磺酸、苯磺酸和对甲苯磺酸中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的过硫酸铵体系蚀刻液，其特征在于，所述稳定剂为甲磺酸。
4.根据权利要求2所述的过硫酸铵体系蚀刻液，其特征在于，所述调节剂为膦酰基丁烷三羧酸。
5.根据权利要求4所述的过硫酸铵体系蚀刻液，其特征在于，所述缓蚀剂B选自咪唑、吡啶、蝶啶、氨苯蝶啶和5-氨基四氮唑中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的过硫酸铵体系蚀刻液，其特征在于，所述缓蚀剂B为氨苯蝶啶和/或5-氨基四氮唑。
7.应用权利要求1-6任一所述的过硫酸铵体系蚀刻液，其特征在于，将含铜钼合层的TFT基板浸渍在蚀刻液中，蚀刻液稳定保持在30~35℃，蚀刻时间为80~160秒。
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