[发明专利]一种集成电路修复方法

说明书

本申请实施例提供了一种集成电路修复方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括外围电路层和位于所述外围电路层上的存储阵列层；确定所述外围电路层中的目标区域；通过等离子体聚焦离子束PFIB工艺去除位于目标区域上的存储阵列层，以暴露出目标区域；对目标区域内的金属互连结构进行修复。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种集成电路修复方法。

背景技术

随着集成电路技术的不断发展，芯片的尺寸不断减小而性能不断提高，芯片的结构也越来越复杂。在这种情况下，芯片出现功能异常的概率也越来越大。在芯片的研发或者制造阶段，如果芯片出现功能异常，需要对芯片进行电路修复(circuit edit)，来决定芯片的改版方案。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种相变存储器及其制造方法。

为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种集成电路修复方法，所述方法包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括外围电路层和位于所述外围电路层上的存储阵列层；

确定所述外围电路层中的目标区域；

通过等离子体聚焦离子束(Plasma Focused Ion beam，PFIB)工艺去除位于目标区域上的存储阵列层，以暴露出目标区域；

对目标区域内的金属互连结构进行修复。

在一种可选的实施方式中，所述对目标区域内的金属互连结构进行修复，包括：

在未去除的存储阵列层上的预设区域内形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成测试焊盘；

在所述金属互连结构和所述测试焊盘之间形成导电连接结构，通过所述导电连接结构电性连接所述金属互连结构和所述测试焊盘。

在一种可选的实施方式中，所述在所述金属互连结构和所述测试焊盘之间形成导电连接结构，通过所述导电连接结构电性连接所述金属互连结构和所述测试焊盘，包括：

在所述金属互连结构上设置金属柱，所述金属柱的远离所述金属互连结构的一端与所述绝缘层的上表面接触；

在所述绝缘层上、所述金属柱的远离所述金属互连结构的一端和所述测试焊盘之间所述形成镀线，通过所述镀线和所述金属柱电性连接所述金属互连结构和所述测试焊盘。

在一种可选的实施方式中，所述方法还包括：

通过测试探针接触所述测试焊盘，以对所述金属互连结构进行检测。

在一种可选的实施方式中，所述测试焊盘的形状为边缘具有凹陷的形状。

在一种可选的实施方式中，所述目标区域位于所述外围电路层内部；

所述通过PFIB工艺去除位于目标区域上的存储阵列层，以曝露出目标区域，包括：

通过PFIB工艺去除位于目标区域上的存储阵列层和部分外围电路层，以曝露出目标区域。

在一种可选的实施方式中，所述金属互连结构包括：第一金属互连结构和第二金属互连结构；

所述对目标区域内的金属互连结构进行修复，包括：

对目标区域内的第一金属互连结构和第二金属互连结构进行耦合或去耦合。

在一种可选的实施方式中，所述对目标区域内的金属互连结构进行修复的步骤采用聚焦离子束(Focused Ion beam，FIB)工艺执行。