[发明专利]一种ReS2

权利要求书

1.一种ReS₂-HfS₂范德瓦尔斯异质结薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

步骤一，取HfCl₄粉末置于温区二(104)中心上游方向，取硫粉置于温区二(104)中心上游方向，取基底置于温区一(103)中心处；

步骤二，对第一燃烧管(1)密封并通过第一出气口(102)进行真空处理后，通过第一进气口(101)向第一燃烧管(1)内通入惰性气体和氢气后，对第一燃烧管(1)的各温区进行加热，制备得到HfS₂薄膜；

步骤三，取ReO₃粉末置于温区三(203)中心处，取硫粉置于温区四(204)中心上游方向，将步骤二制得的HfS₂薄膜作为新基底分别置于温区三(203)ReO₃粉末侧方；

步骤四，对第二燃烧管(2)密封并通过第二出气口(202)进行真空处理后，通过第二进气口(201)向第二燃烧管(2)内通入惰性气体和氢气后，对第二燃烧管(2)的各温区进行加热，得到ReS₂-HfS₂范德瓦尔斯异质结薄膜；

所述步骤一中HfCl₄粉末置于温区二(104)中心上游方向5cm～7cm处，硫粉置于温区二(104)中心上游方向8cm～10cm处；

所述步骤二中通入的惰性气体为氩气，气流速度为30sccm～50sccm，氢气气流速度为6sccm～10sccm，温区一(103)中心的加热温度为960℃～1000℃，温区一(103)从上游方向到下游方向的温度范围为800℃～700℃，温区二(104)中心的加热温度为300℃～350℃，温区二(104)从上游方向到下游方向的温度范围为280℃～400℃，各温区的升温时间均为30min～40min，待各温区到达目标温度后保持5min～10min；

所述步骤三中硫粉置于温区四(204)中心上游方向8.0cm～10.0cm处，HfS2薄膜分别置于ReO3粉末侧方1.0cm～3.0cm处；

所述步骤四中，通入的惰性气体为氩气，流速设置为100sccm～150sccm，氢气的气流速度为10sccm～20sccm，温区三(203)中心的加热温度为480℃～520℃，温区三(203)从上游方向到下游方向的温度范围为430℃～400℃，温区四(204)中心的加热温度为300℃～350℃，温区四(204)从上游方向到下游方向的温度范围为270℃～370℃，各温区的升温时间均为20min～30min，待各温区到达目标温度后保持3min～5min；

实现上述方法采用的装置包括第一燃烧管(1)与第二燃烧管(2)，所述第一燃烧管(1)包括第一进气口(101)与第一出气口(102)，所述第一燃烧管(1)中靠近第一出气口(102)的一端设有温区一(103)，靠近第一进气口(101)的一端设有温区二(104)，所述第一进气口(101)方向为上游方向，第一出气口(102)方向为下游方向；所述第二燃烧管(2)包括第二进气口(201)与第二出气口(202)，所述第二燃烧管(2)中靠近第二出气口(202)的一端设有温区三(203)，靠近第二进气口(201)的一端设有温区四(204)，所述第二进气口(201)方向为上游方向，第二出气口(202)方向为下游方向，所述第一燃烧管(1)与第二燃烧管(2)均为石英管。

2.如权利要求1所述的ReS₂-HfS₂范德瓦尔斯异质结薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中HfCl₄粉末与硫粉的质量比为：0.050～0.083：1，所述步骤三中ReO₃粉末与硫粉的质量比为：0.007～0.010：1。

3.如权利要求1所述的ReS₂-HfS₂范德瓦尔斯异质结薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤一中的基底为蓝宝石、石英、硅或二氧化硅，所述基底的厚度为0.17mm～0.43mm，基底的尺寸为0.8×0.8cm²～1.2×1.2cm²。

4.如权利要求1所述的ReS₂-HfS₂范德瓦尔斯异质结薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤二与步骤四中进行真空处理至第一燃烧管(1)与第二燃烧管(2)的压强降到小于100Pa，步骤二与步骤四中通气体后，待系统稳定20分钟。