[发明专利]一种大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法及其产品

权利要求书

1.一种大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：

S1在基底表面制备预设图形，然后在该具有预设图形的基底表面制备刻蚀掩膜层；

S2对具有刻蚀掩膜层的基底进行刻蚀，进而在该基底上制得倒锥形阵列；

S3对步骤S2制得的倒锥形阵列进行纳米压印，以此制得锥形掩膜，然后对该锥形掩膜进行一次倒模，获得倒锥形阵列结构；

S4在所述倒锥形阵列结构的表面构建耐磨层，获得倒锥形模板，利用疏水聚合物对该倒锥形模板进行二次倒模，制得锥形阵列结构；

S5对所述锥形阵列结构的表面进行研磨，以得到锥台阵列结构，进而制得所述大面积高耐用性超疏水表面结构。

2.如权利要求1所述的大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法，其特征在于，步骤S1中，采用光刻的方式在基底表面制备预设图形。

3.如权利要求1所述的大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法，其特征在于，步骤S1中，制备刻蚀掩膜层的过程为：采用溅射或蒸发的方式进行保护层沉积，然后利用剥离液进行剥离，从而得到图形化的刻蚀掩膜层。

4.如权利要求1所述的大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述基底的材料为硅，所述刻蚀掩膜层的材料为铬。

5.如权利要求1所述的大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法，其特征在于，步骤S2中，采用湿法刻蚀的方式对无刻蚀掩膜层的区域进行刻蚀，得到倒锥形阵列。

6.如权利要求1所述的大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法，其特征在于，步骤S4中，构建耐磨层的过程为：采用沉积方式构建耐磨种子层，然后利用电铸方式制备耐磨层。

7.如权利要求1所述的大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述耐磨层的材料为铬。

8.如权利要求1所述的大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法，其特征在于，步骤S5中，采用研磨机或砂纸进行研磨。

9.如权利要求1～8任一项所述的大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法，其特征在于，步骤S5中，研磨过程中磨削厚度为锥体高度的1/10～1/2。

10.一种利用如权利要求1～9任一项所述方法制备的大面积高耐用性超疏水表面结构。