[发明专利]CCD图像传感器的输出节点结构及其制作工艺

权利要求书

1.一种CCD图像传感器的输出节点结构，其特征在于，包括衬底,所述衬底上设有栅介质层，所述衬底上部设有输出节点注入区，在所述栅介质层上开设有接触孔，所述接触孔位于输出节点注入区上方；在所述栅介质层上对应输出节点注入区上方的位置处还设有多晶硅电极，所述多晶硅电极的下端伸入接触孔中并与输出节点注入区电连接，所述多晶硅电极的上端覆盖有氧化层。

2.根据权利要求1所述的CCD图像传感器的输出节点结构及其制作工艺，其特征在于，所述多晶硅电极为n型磷掺杂，掺杂浓度为10²²/cm³量级。

3.根据权利要求1所述的CCD图像传感器的输出节点结构，其特征在于，所述接触孔的尺寸为1μm×1μm。

4.根据权利要求1所述的CCD图像传感器的输出节点结构，其特征在于，所述多晶硅电极的厚度为700nm～800nm。

5.根据权利要求1～4任一项所述的CCD图像传感器的输出节点结构，其特征在于，所述接触孔和多晶硅电极均设置在输出节点注入区的正上方。

6.一种CCD图像传感器的输出节点制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上生长一层栅介质层；

在衬底上部注入n型杂质，形成输出节点注入区；

刻蚀输出节点注入区上方的部分栅介质层，并露出输出节点注入区，形成接触孔；

在栅介质层上淀积一层多晶硅，所述多晶硅伸入接触孔中并与输出节点注入区电连接；

刻蚀多晶硅，形成多晶硅电极；

对多晶硅电极进行氧化，在其上方形成一层氧化层。

7.根据权利要求6所述的CCD图像传感器的输出节点制作工艺，其特征在于，所述多晶硅电极为n型磷掺杂，掺杂浓度为10²²/cm³量级。

8.根据权利要求6所述的CCD图像传感器的输出节点制作工艺，其特征在于，所述接触孔的尺寸为1μm×1μm。

9.根据权利要求6所述的CCD图像传感器的输出节点制作工艺，其特征在于，所述多晶硅电极的厚度为700nm-800nm。

10.根据权利要求6～9任一项所述的CCD图像传感器的输出节点制作工艺，其特征在于，所述接触孔和多晶硅电极均设置在输出节点注入区的正上方。