[发明专利]低温非易失性存储器在审
| 申请号： | 202010901106.4 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112151674A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 郝镇齐;高滨;吴华强;唐建石;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 非易失性存储器 | ||
1.一种低温非易失性存储器，其特征在于，包括：上电极、阻变层和下电极，其中，所述阻变层为双层结构，所述阻变层的上层为导电绝热材料，与所述上电极连接，所述阻变层的下层为阻变材料，与所述下电极连接，当进行写入SET和重置RESET时，外电场电流产生的焦耳热将所述阻变层中的局部温度升高，所述导电绝热材料将部分热量保存在所述阻变层内，使所述阻变层保持阻变特征。
2.根据权利要求1所述的低温非易失性存储器，其特征在于，所述导电绝热材料为导电率高且热导率低的材料。
3.一种低温非易失性存储器，其特征在于，包括：上电极、第一导电绝热材料、第二导电绝热材料、阻变层和下电极，其中，所述上电极与所述第一导电绝热材料连接，所述阻变层置于所述第一导电绝热材料和所述第二导电绝热材料中间，所述第二导电绝热材料与所述下电极连接，当进行写入SET和重置RESET时，外电场电流产生的焦耳热将所述阻变层中的局部温度升高，所述第一导电绝热材料和所述第二导电绝热材料将部分热量保存在所述阻变层内，使所述阻变层保持阻变特征。
4.一种低温非易失性存储器，其特征在于，包括：上电极、导电绝热材料、第一绝缘绝热材料、第二绝缘绝热材料、阻变层和下电极，其中，所述上电极与所述导电绝热材料连接，所述导电绝热材料分别与所述第一绝缘绝热材料、所述第二绝缘绝热材料和所述阻变层连接，所述第一绝缘绝热材料和所述第二绝缘绝热材料分别置于所述阻变层左右侧，所述下电极置于所述阻变层下方，当进行写入SET和重置RESET时，外电场电流产生的焦耳热将所述阻变层中的局部温度升高，所述导电绝热材料、第一绝缘绝热材料和所述第二绝缘绝热材料将部分热量保存在所述阻变层内，使所述阻变层保持阻变特征。
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