[发明专利]氮化镓基晶体管器件外延结构及其制备方法、器件在审
申请号: | 202010902507.1 | 申请日: | 2020-08-31 |
公开(公告)号: | CN111987156A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 何俊蕾;林科闯;刘成;郭德霄;赵杰;徐宁;汪晓媛;叶念慈 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/205;H01L21/335 |
代理公司: | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人: | 王文宾 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮化 晶体管 器件 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种氮化镓基晶体管器件外延结构,其特征在于,包括:衬底及依序形成于所述衬底上的缓冲层、第一层异质结、刻蚀终止层和第二层异质结,所述第二层异质结形成有凹槽,所述第二层异质结背离所述刻蚀终止层的一侧形成有P型氮化物层,且所述P型氮化物层填充所述凹槽。
2.如权利要求1所述的氮化镓基晶体管器件外延结构,其特征在于,所述P型氮化物层靠近所述第二层异质结的一侧形成有掩膜介质层,所述掩膜介质层对应于所述第二层异质结的非凹槽区域,所述P型氮化物层部分覆盖所述掩膜介质层。
3.如权利要求1或2所述的氮化镓基晶体管器件外延结构,其特征在于,所述第二层异质结靠近所述P型氮化物层的一侧形成有对应于所述第二层异质结的非凹槽区域的氮化物帽层。
4.如权利要求3所述的氮化镓基晶体管器件外延结构,其特征在于,所述氮化物帽层为氮化镓帽层。
5.如权利要求1所述的氮化镓基晶体管器件外延结构,其特征在于,所述第一层异质结包括依序形成于所述缓冲层上的氮化镓层和铝镓氮层;所述刻蚀终止层为铝镓氮化合物,且所述刻蚀终止层的铝组分占比高于所述铝镓氮层的铝组分占比。
6.如权利要求1所述的氮化镓基晶体管器件外延结构,其特征在于,所述刻蚀终止层为氮化铝层。
7.如权利要求1所述的氮化镓基晶体管器件外延结构,其特征在于,所述第二层异质结包括依序形成于所述刻蚀终止层上的氮化镓层和铝镓氮层。
8.一种氮化镓基晶体管器件外延结构的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底上依序形成缓冲层、第一层异质结、刻蚀终止层和第二层异质结;
在所述第二层异质结上形成凹槽;
在所述第二层异质结背离所述刻蚀终止层的一侧形成P型氮化物层,且所述P型氮化物层填充所述凹槽。
9.如权利要求8所述的氮化镓基晶体管器件外延结构的制备方法,其特征在于,所述在所述第二层异质结上形成凹槽之前,所述方法还包括:
在所述第二层异质结上形成掩膜介质层;
所述在所述第二层异质结上形成凹槽,包括:
刻蚀所述掩膜介质层和所述第二层异质结,以形成所述凹槽;
所述在所述第二层异质结背离所述刻蚀终止层的一侧形成P型氮化物层,包括:
在所述掩膜介质层上选区形成所述P型氮化物层,所述P型氮化物层部分覆盖所述掩膜介质层。
10.一种氮化镓基晶体管器件,其特征在于,包括如权利要求1至7任一项所述的氮化镓基晶体管器件外延结构。
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