[发明专利]一种金属型二硫化钼量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种金属型MoS₂量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)以半导体型MoS₂块体为原料，采用手动研磨法研磨，得到半导体型MoS₂粉末；

(2)在无水无氧环境的手套箱中，以惰性气体为保护气体，采用丁基锂溶液对所述半导体型MoS₂粉末进行锂插层处理；

(3)将锂插层处理后的半导体型MoS₂粉末分散在溶剂中，随后进行超声处理，得到剥离后的MoS₂-溶剂混合物，然后进行离心分离，得到金属型MoS₂量子点溶液；

(4)将TiN纳米管阵列置于步骤(3)中所述金属型MoS₂量子点溶液中，然后依次进行超声处理、浸泡、干燥，得金属型MoS₂量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种金属型MoS₂量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述手动研磨法具体为：将所述半导体型MoS₂块体置于乙醇或异丙醇中，得到混合液，然后将所述混合液置于玛瑙研钵中，手动研磨60min，待乙醇或异丙醇蒸发，自然干燥后，得到半导体型MoS₂粉末。

3.根据权利要求2所述的一种金属型MoS₂量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料的制备方法，其特征在于，所述半导体型MoS₂块体的尺寸为6μm，所述半导体型MoS₂粉末的尺寸为＜1μm；

所述乙醇或异丙醇的加入量以所述半导体型MoS₂块体在混合液中的质量浓度为100mg/mL为准。

4.根据权利要求1所述的一种金属型MoS₂量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述无水无氧环境的手套箱中水含量和氧含量均小于1ppm，所述惰性气体为氮气、氩气和氦气中的一种或多种，惰性气体的纯度为99.99％。

5.根据权利要求1所述的一种金属型MoS₂量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述丁基锂溶液为丁基锂的正己烷溶液，所述丁基锂溶液中所述丁基锂的摩尔浓度为2.5mol/L，所述丁基锂溶液的用量以丁基锂的体积计，所述丁基锂与半导体型MoS₂粉末的体积质量比为500μL:20mg。

6.根据权利要求1所述的一种金属型MoS₂量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述溶剂为去离子水或乙醇，所述半导体型MoS₂粉末与溶剂的质量体积比为(10-30)mg:20mL，所述超声处理的时间为30min。

7.根据权利要求1所述的一种金属型MoS₂量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述离心分离的次数为3此，具体操作为：首先采用600rpm的转速进行离心10min，取一次上清液；然后将所述一次上清液在10000rpm转速下进行离心分离，取二次上清液；最后将所述二次上清液在15000rpm转速下进行进一步纯化离心分离，得到的上清液为金属型MoS₂量子点溶液。

8.根据权利要求1所述的一种金属型MoS₂量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料的制备方法，其特征在于，所述金属型MoS₂量子点的尺寸为3-10nm。