[发明专利]可程式化电阻式装置存储器及用于该存储器的方法

权利要求书

1.一种可程式化电阻式装置存储器，其特征在于，包含：

多个可程式化电阻式装置胞，该些可程式化电阻式装置胞的每一个包含至少一可程式化电阻式元件，该至少一可程式化电阻式元件耦合到一选择器，该选择器被配置为接收一致能信号；

多个字元线，该些字元线的每一个通过该选择器的该致能信号耦合到该些可程式化电阻式装置胞；

多个位元线，该些位元线的每一个耦合到该些可程式化电阻式装置胞的一第一端；

至少一参考可程式化电阻式装置胞，该至少一参考可程式化电阻式装置胞包含耦合到一参考选择器的至少一参考电阻或至少一参考可程式化电阻式元件，该参考选择器被配置为接收一参考致能信号；

至少一参考字元线，该至少一参考字元线通过该参考选择器的该参考致能信号耦合至该至少一参考可程式化电阻式装置胞；及

至少一参考位元线，该至少一参考位元线耦合到该至少一参考可程式化电阻式装置胞的一第一端，

其中，为了判断一个或多个该些可程式化电阻式装置胞的一电阻准位，适当的该些位元线和该至少一参考位元线被预充电，然后基本上同时放电；

其中，通过比较一个或多个该至少一可程式化电阻式元件通过相应的该位元线与对应于该至少一参考位元线的该至少一参考电阻的放电率，判断该些可程式化电阻式装置胞的一个或多个该至少一可程式化电阻式元件的电阻。

2.如权利要求1所述的可程式化电阻式装置存储器，其特征在于，该可程式化电阻式装置存储器包含：

至少一比较器，该至少一比较器耦合到相应的该位元线和该至少一参考位元线；基于一预定电压准位，每个该至少一比较器分别将来自该至少一可程式化电阻式元件和该至少一参考可程式化电阻式元件的放电电压，或者是将耦合的该可程式化电阻式装置胞和该至少一参考可程式化电阻式装置胞的电阻，转换为一逻辑值。

3.如权利要求2所述的可程式化电阻式装置存储器，其特征在于，该至少一比较器包含至少一反向器或至少一逻辑闸，该至少一反向器或该至少一逻辑闸的输出耦合到一锁存器或一正反器的输入。

4.如权利要求3所述的可程式化电阻式装置存储器，其特征在于，该些位元线被多路复用到至少一数据线，该至少一数据线耦合到该至少一比较器。

5.如权利要求1所述的可程式化电阻式装置存储器，其特征在于，该可程式化电阻式装置存储器包含在感测期间耦合到该些位元线及/或该至少一参考位元线的至少一电容。

6.如权利要求1所述的可程式化电阻式装置存储器，其特征在于，当该至少一比较器的输出的至少一个改变逻辑状态时，断开放电以节省功耗。

7.如权利要求1所述的可程式化电阻式装置存储器，其特征在于，该可程式化电阻式元件包含一次性可程式化存储器、多次可程式化存储器、铁电随机存取存储器、相变随机存取存储器、电阻式随机存取存储器及磁性随机存取存储器中的至少一个。

8.如权利要求1所述的可程式化电阻式装置存储器，其特征在于，该可程式化电阻式元件包含一个一次性可程式化元件，并且其中该一次性可程式化元件包含电熔丝、闸极氧化物或介电质崩溃反熔丝或悬浮闸极一次性可程式化元件中的至少一个。

9.如权利要求1所述的可程式化电阻式装置存储器，其特征在于，该可程式化电阻式元件包含一电熔丝，并且其中该电熔丝包含多晶硅、硅化的多晶硅、硅化物、金属、金属合金、局部互连、热隔离主动区、鳍式场效电晶体或金属氧化物半导体闸极中的至少一个。

10.如权利要求1所述的可程式化电阻式装置存储器，其特征在于，该可程式化电阻式装置存储器内置在包含非晶、多晶硅或有机半导体之一的一薄膜基板上。

11.如权利要求1所述的可程式化电阻式装置存储器，其特征在于，该可程式化电阻式装置存储器被整合到具有至少一中央处理单元、静态随机存取存储器、输入输出单元或逻辑电路的芯片中。