[发明专利]半导体腔室及半导体设备

权利要求书

1.一种半导体腔室，其特征在于，包括壳体(100)、设置在所述壳体(100)中的预热组件(200)和基座(300)，所述基座(300)用于承载待加工件(700)且可升降，所述预热组件(200)环绕所述基座(300)设置，用于对所述半导体腔室进行预热；

其中，所述预热组件(200)开设有通气孔(212)，当所述基座(300)处于工艺位置时，所述通气孔(212)朝向所述基座(300)的开口低于所述基座(300)的承载面，所述通气孔(212)用于使刻蚀气体输入所述承载面的下方以及沿所述预热组件(200)与所述基座(300)之间的间隙输入所述承载面的上方。

2.根据权利要求1所述的半导体腔室，其特征在于，所述半导体腔室还包括支撑部(400)，所述支撑部(400)设置于所述壳体(100)内，所述支撑部(400)用于支撑所述预热组件(200)，所述预热组件(200)的底端与所述支撑部(400)的顶端中，一者设置有定位凹槽(213)，另一者设置有定位凸起(410)，所述定位凸起(410)的至少部分位于所述定位凹槽(213)内，所述定位凸起(410)与所述定位凹槽(213)相互配合，实现定位。

3.根据权利要求2所述的半导体腔室，其特征在于，所述定位凸起(410)的数量为多个，所述定位凹槽(213)的数量为多个，多个所述定位凹槽(213)和多个所述定位凸起(410)均环绕所述预热组件(200)的周向间隔设置，所述定位凸起(410)与所述定位凹槽(213)一一对应。

4.根据权利要求1所述的半导体腔室，其特征在于，所述预热组件(200)包括下环形部(210)和上环形部(220)，所述上环形部(220)沿所述下环形部(210)的顶部径向向内延伸，所述通气孔(212)开设于所述下环形部(210)，当所述基座(300)处于工艺位置时，所述基座(300)的承载面位于所述通气孔(212)朝向所述基座(300)的开口和所述上环形部(220)之间。

5.根据权利要求4所述的半导体腔室，其特征在于，所述上环形部(220)的内径小于所述基座(300)的外径。

6.根据权利要求4所述的半导体腔室，其特征在于，所述下环形部(210)的通气孔(212)下端的外侧壁环设有导流部(214)，在所述通气孔(212)至所述下环形部(210)的底端的方向上，所述导流部(214)的外径逐渐增大。

7.根据权利要求4所述的半导体腔室，其特征在于，所述下环形部(210)的顶端至所述下环形部(210)底端之间的距离大于所述上环形部(220)的顶端至所述上环形部(220)的底端的距离；和/或，

所述下环形部(210)的外径与所述下环形部(210)内径之间的距离大于所述上环形部(220)的顶端与所述上环形部(220)底端之间的距离。

8.根据权利要求4所述的半导体腔室，其特征在于，所述基座(300)朝向所述上环形部(220)的表面开设有容纳凹槽(310)，所述待加工件(700)位于所述容纳凹槽(310)内，所述容纳凹槽(310)的槽底开设有多个贯穿所述槽底的排气孔(311)，所述排气孔(311)与所述待加工件(700)相对设置。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体腔室，其特征在于，所述壳体(100)包括进气块(131)，所述进气块(131)的高度低于所述预热组件(200)顶端的高度且高于所述通气孔(212)的高度；所述进气块(131)分别通过生长气体通道(510)和刻蚀气体通道(520)向所述半导体腔室输入生长气体和所述刻蚀气体，所述生长气体通道(510)朝向所述预热组件(200)，所述刻蚀气体通道(520)朝向所述半导体腔室的边缘。