[发明专利]基于Mg2+

权利要求书

1.一种基于Mg²⁺掺杂的准二维钙钛矿材料的蓝色发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在ITO玻璃基片上旋涂空穴注入层材料，经120℃热台退火15~20min后得到空穴注入层；

(2)将PEA₂CsPb₂Br₇前驱体溶液与MgBr₂的DMSO溶液混合得到Mg²⁺掺杂的PEA₂CsPb₂Br₇前驱体溶液；将所得Mg²⁺掺杂的PEA₂CsPb₂Br₇前驱体溶液旋涂至所述步骤（1）的空穴注入层表面，经70℃热台退火5min，得到发光层；

(3)在所述步骤（2）的发光层表面依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极。

2.根据权利要求1所述的基于Mg²⁺掺杂的准二维钙钛矿材料的蓝色发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤（1）中所述空穴注入层材料为聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）。

3.根据权利要求1所述的基于Mg²⁺掺杂的准二维钙钛矿材料的蓝色发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤（1）中所述的旋涂空穴注入层材料的转速为2500rap，时间为60s。

4.根据权利要求1所述的基于Mg²⁺掺杂的准二维钙钛矿材料的蓝色发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤（2）中所述的PEA₂CsPb₂Br₇前驱体溶液的制备方法是将PbBr₂、CsBr和PEABr以2:1:2的摩尔比溶于无水DMSO中，置于70℃的热台上搅拌2h，从而得到PEA₂CsPb₂Br₇前驱体溶液。

5.根据权利要求1所述的基于Mg²⁺掺杂的准二维钙钛矿材料的蓝色发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤（2）中所述的Mg²⁺掺杂的PEA₂CsPb₂Br₇前驱体溶液中Mg²⁺摩尔量占Mg²⁺和Pb²⁺总摩尔量的比率分别为10%和20%。

6.根据权利要求1所述的基于Mg²⁺掺杂的准二维钙钛矿材料的蓝色发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤（2）中所述的将Mg²⁺掺杂的PEA₂CsPb₂Br₇前驱体溶液旋涂至空穴注入层表面的旋涂转速为3000rap，时间为60s。

7.根据权利要求1所述的基于Mg²⁺掺杂的准二维钙钛矿材料的蓝色发光二极管的制备方法，其特征在于：在步骤（3）中所述的电子传输层为TPBi，电子注入层为LiF，阴极为Al，电子传输层、电子注入层和阴极的厚度分别为40nm、1nm和100nm。