[发明专利]充放电开关电路、充放电控制装置、芯片及电池管理系统在审

专利信息
申请号: 202010906330.2 申请日: 2020-09-01
公开(公告)号: CN112398192A 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 周号 申请(专利权)人: 珠海迈巨微电子有限责任公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 代理人: 李伟波;韩德凯
地址: 519000 广东省珠海市唐家湾镇*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 放电 开关电路 控制 装置 芯片 电池 管理 系统
【权利要求书】:

1.一种充放电开关电路,用于对电池/电池的充电电流和/或放电电流进行控制,其特征在于,包括:

第一MOS晶体管,所述第一MOS晶体管的栅极接收第一控制信号以便进行导通与关断,所述第一MOS晶体管为低耐压型MOS晶体管,所述第一MOS晶体管的源极或者漏极连接电池侧;

第二MOS晶体管,所述第二MOS晶体管的栅极接收第二控制信号以便进行导通与关断,所述第二MOS晶体管为高耐压型MOS晶体管,所述第二MOS晶体管的源极或者漏极连接外部负载或外部充电器侧,所述第二MOS晶体管的漏极或者源极与所述第一MOS晶体管的漏极或者源极连接;以及

开关,所述开关的一端连接所述第二MOS晶体管的栅极,所述开关的另一端连接所述第二MOS晶体管的源极,以便当所述第一MOS晶体管关断的情况下,所述开关导通以使得所述第二MOS晶体管在所述第一MOS晶体管关断之前进行关断或者在所述第一MOS晶体管关断的同时进行关断。

2.如权利要求1所述的充放电开关电路,其特征在于,所述第一MOS晶体管为放电MOS晶体管并且所述第一控制信号为放电控制信号,所述第二MOS晶体管为充电MOS晶体管并且所述第二控制信号为充电控制信号,所述第一MOS晶体管的源极连接电池侧,所述第二MOS晶体管的源极连接外部负载或外部充电器侧,所述第二MOS晶体管的漏极与所述第二MOS晶体管的漏极连接。

3.如权利要求1所述的充放电开关电路,其特征在于,所述第一MOS晶体管为充电MOS晶体管并且所述第一控制信号为放电控制信号,所述第二MOS晶体管为放电MOS晶体管并且所述第二控制信号为放电控制信号,所述第一MOS晶体管的漏极连接电池侧,所述第二MOS晶体管的漏极连接外部负载或外部充电器侧,所述第二MOS晶体管的源极与所述第二MOS晶体管的源极连接,

或者,

所述电池侧为电池的低压侧,所述外部负载或外部充电器侧为所述外部负载的低压侧或者所述外部充电器的低压侧,或者所述电池侧为电池的高压侧,所述外部负载或外部充电器侧为所述外部负载的高压侧或者所述外部充电器的高压侧,

或者,

所述第一MOS晶体管的源极与漏极之间连接有高压保护二极管,

或者,

所述第一MOS晶体管的导通阻抗小于所述第二MOS晶体管的导通阻抗。

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