[发明专利]超强电容耦合结构

权利要求书

1.超强电容耦合结构，包括主体（1），其特征在于，所述主体（1）内设有腔体（101），所述腔体（101）内连接有十字形杆（102），所述十字形杆（102）上设有卡槽，所述卡槽内连接有绝缘包覆电容铜线（601）；

所述腔体（101）的内壁还分别固定连接有第一谐振柱（104）和第二谐振柱（105），所述第一谐振柱（104）上焊接有铜丝（6），所述绝缘包覆电容铜线（601）包裹在铜丝（6）的外壁，所述铜丝（6）远离第一谐振柱（104）的一端与第二谐振柱（105）相配合；

所述主体（1）的侧壁还分别固定连接有输入接头（301）和输出接头（401），所述第二谐振柱（105）上还固定连接有固定座（106），所述固定座（106）上固定连接有输入铜片（502）和输出铜片（5），所述输入铜片（502）与输入接头（301）相配合，所述输出铜片（5）与输出接头（401）相配合。

2.根据权利要求1所述的超强电容耦合结构，其特征在于，所述第一谐振柱（104）设置有两个，且所述铜丝（6）焊接在其中一个第一谐振柱（104）上，所述铜丝（6）的另一端与其中一个第二谐振柱（105）配合。

3.根据权利要求2所述的超强电容耦合结构，其特征在于，所述第二谐振柱（105）和固定座（106）均设置有两个，所述输入铜片（502）和输出铜片（5）分别连接在两个第二谐振柱（105）上。

4.根据权利要求3所述的超强电容耦合结构，其特征在于，所述输入铜片（502）和输出铜片（5）均通过铜片固定螺钉（501）固定连接在两个固定座（106）上。

5.根据权利要求4所述的超强电容耦合结构，其特征在于，所述主体（1）的侧壁连接有第一固定板（3）和第二固定板（4），所述输入接头（301）和输出接头（401）分别固定连接在第一固定板（3）和第二固定板（4）上。

6.根据权利要求5所述的超强电容耦合结构，其特征在于，所述第一固定板（3）和第二固定板（4）分别通过第一接头固定螺钉（302）和第二接头固定螺钉（402）固定连接在主体（1）的侧壁，所述输入接头（301）内连接有与输入铜片（502）相配合的第一固定杆（303），所述输出接头（401）内连接有与输出铜片（5）相配合的第二固定杆（403）。

7.根据权利要求1所述的超强电容耦合结构，其特征在于，所述主体（1）的顶部外壁连接有盖板（2），所述主体（1）、十字形杆（102）和盖板（2）上均设有相对应的第一螺纹孔（103），所述第一螺纹孔（103）内螺纹连接有限位螺钉（201）。

8.根据权利要求7所述的超强电容耦合结构，其特征在于，所述盖板（2）上还设有第二螺纹孔，所述第二螺纹孔内连接有与第一谐振柱（104）和第二谐振柱（105）相配合的调谐螺钉（202）。

9.根据权利要求7所述的超强电容耦合结构，其特征在于，所述十字形杆（102）与主体（1）为一体成型设置。

10.根据权利要求1所述的超强电容耦合结构，其特征在于，所述绝缘包覆电容铜线（601）的材料具体为绝缘介质PTFE。