[发明专利]一种基于MXene的可饱和吸收体的制备方法

权利要求书

1.一种基于MXene的可饱和吸收体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

制备Nb₂C纳米片：提供前驱体MAX和HF溶液中，将前驱体MAX置于HF溶液中，刻蚀前驱体MAX中的Al层，离心取上清液，得到含有Nb₂C纳米片的溶液；

制备可饱和吸收体：将微纳光纤浸入含有Nb₂C纳米片的溶液中，所述微纳光纤的一端引入980nm连续光，Nb₂C纳米片借助于光泳力作用沉积到微纳光纤表面，制得可饱和吸收体；

所述前驱体MAX为Nb₂AlC前驱体；

在制备Nb₂C纳米片步骤中，刻蚀完成后，向含有Nb₂C纳米片的混合溶液中添加去离子水、搅拌；

当含有Nb₂C纳米片的混合溶液的pH值变为6时，向含有Nb₂C纳米片的混合溶液中注入IPA溶剂后进行水浴超声，离心收集Nb₂C纳米片；

在制备Nb₂C纳米片步骤中，所述水浴超声的功率为280～400W，所述水浴超声的时间为18～36h；

在制备Nb₂C纳米片步骤中，所述离心的具体操作为：5000转/min离心20min；

在制备Nb₂C纳米片步骤中，所述Nb₂AlC前驱体与HF溶液的质量体积之比为1:0.1～2mg/mL；

在制备Nb₂C纳米片步骤中，所述HF溶液的质量分数为20％～60％；

在制备可饱和吸收体步骤中，所述含有Nb₂C纳米片的溶液的浓度为0.05～0.25mg/mL，所述微纳光纤浸入含有Nb₂C纳米片的溶液中20～60min。