[发明专利]一种半导体级硅的等离子体喷涂工艺

权利要求书

1.一种半导体级硅的等离子体喷涂工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将等离子体喷涂装置的两个夹持板（4）相背移动；

S2：将圆形半导体晶片放在所述等离子体喷涂装置的两个安装槽（5）内；

S3：启动所述等离子体喷涂装置的驱动电机（12），驱动电机（12）转动带动转动轴转动，实现第一转动杆（13）和第一锥齿轮（33）转动，第一转动杆（13）转动带动第二转动杆（10）转动，实现连接板（2）和两个安装板（3）往复移动，进而实现圆形半导体晶片往复移动；所述安装板（3）往复移动带动夹持板（4）往复移动，夹持板（4）往复移动时与挡杆（6）相抵，此时夹持板（4）被限位无法移动，则夹持板（4）被限位后会带动L型杆（7）和齿条板（8）移动，通过齿轮（9）的传动，两个齿条板（8）相背移动，进而实现两个夹持板（4）相背移动，两个夹持板（4）相背移动可以实现圆形半导体晶片在安装槽（5）内的滚动，如此没有等离子喷涂的圆形半导体晶片转动至安装槽（5）外，可以对此部分进行等离子喷涂，如此实现对圆形半导体晶片的全面喷涂，也使得喷涂更加均匀；安装板（3）复位时，在第一弹簧（20）的作用下，实现夹持板（4）的复位，如此往复移动可以对圆形半导体晶片进行有效且均匀的喷涂；

S4：待驱动电机（12）稳定工作时，启动所述等离子体喷涂装置的两个等离子发射器（29），通过等离子发射器（29）可以对圆形半导体晶片的表面进行等离子喷涂。

2.根据权利要求1所述的一种半导体级硅的等离子体喷涂工艺，其特征在于，所述步骤S3中，所述第一锥齿轮（33）转动时带动第二锥齿轮（34）转动，实现往复丝杠（11）转动，往复丝杠（11）转动带动驱动电机（12）在矩形框（14）上往复移动。

3.根据权利要求1所述的一种半导体级硅的等离子体喷涂工艺，其特征在于，所述等离子体喷涂装置包括溅射室（1），所述溅射室（1）内滑动连接有呈上下设置的两个安装板（3），两个所述安装板（3）相同的一端固定连接有连接板（2），两个所述安装板（3）相对的一面均设有T型槽（18），两个所述T型槽（18）内均滑动连接有T型块（19），两个所述T型块（19）与相对的T型槽（18）的内壁均固定连接有位于两侧的两个第一弹簧（20），两个所述T型块（19）相对的一端均固定连接有第一定位板（17），两个所述第一定位板（17）之间设有可活动的两个第二定位板（23），两个所述第二定位板（23）相对的一面均转动连接有夹持板（4），两个所述夹持板（4）相对的一面均设有安装槽（5），两个所述安装槽（5）之间夹持有圆形半导体晶片，所述溅射室（1）的内壁固定连接有挡杆（6），所述挡杆（6）与夹持板（4）相抵，两个所述第一定位板（17）之间设有传动机构，所述溅射室（1）的内壁固定连接有矩形框（14），所述矩形框（14）内滑动连接有限位销（15），所述限位销（15）的上端固定连接有驱动电机（12），所述驱动电机（12）与矩形框（14）的上端滑动连接，所述驱动电机（12）的输出端与连接板（2）之间设有曲柄机构，所述驱动电机（12）的输出端与矩形框（14）之间设有位移往复机构，所述溅射室（1）的上端安装有控制机柜（16），所述溅射室（1）的前后内壁均安装有等离子发射器（29）。

4.根据权利要求3所述的一种半导体级硅的等离子体喷涂工艺，其特征在于，所述溅射室（1）的前后内壁均设有两个滑动槽（30），四个所述滑动槽（30）内均滑动连接有滑动块（31），四个所述滑动块（31）与相对的安装板（3）固定连接。

5.根据权利要求3所述的一种半导体级硅的等离子体喷涂工艺，其特征在于，所述第一定位板（17）和第二定位板（23）之间固定连接有多个伸缩杆（21）和多个第二弹簧（22），多个所述第二弹簧（22）分别套设在多个伸缩杆（21）的外部。