[发明专利]一种发光基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010906721.4 申请日: 2020-09-01
公开(公告)号: CN112018264B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 刘军;方金钢;张扬;苏同上;何为;周斌;刘宁 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H10K50/844 分类号: H10K50/844;H10K59/122;H10K59/123;H10K71/00;H01L33/52;H01L27/15;F21S2/00
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 李文博
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种发光基板,其特征在于,发光基板具有发光区和与所述发光区相邻的隔离区;

所述发光基板包括:

衬底;

设置于所述衬底上且位于所述隔离区的隔离部,所述隔离部包括:沿远离所述衬底的方向依次设置的第一导电图案层、第二导电图案层和第一绝缘图案层;所述第一导电图案层在所述衬底上的正投影位于所述第二导电图案层在所述衬底上的正投影的边沿以内,且所述第一导电图案层在衬底上的正投影与所述第二导电图案层在衬底上的正投影之间具有第一间隙;所述第一绝缘图案层在远离所述衬底的表面上形成有至少一个第一凹槽,每个所述第一凹槽沿所述第一导电图案层靠近所述发光区的边沿延伸;

设置于所述衬底上且位于所述发光区的第二绝缘图案层,所述第一绝缘图案层与所述第二绝缘图案层同层设置且之间具有第二间隙;

设置于所述衬底上且覆盖所述发光区和所述隔离区的第一导电薄膜,所述第一导电薄膜位于所述第二绝缘图案层远离所述衬底的一侧,且所述第一导电薄膜在所述隔离部靠近所述发光区的一侧断开。

2.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,还包括:

设置于所述衬底上且覆盖所述发光区和所述隔离区的具有发光功能的薄膜,所述具有发光功能的薄膜位于所述第一导电薄膜靠近所述衬底的一侧,且所述具有发光功能的薄膜在所述隔离部靠近所述发光区的一侧断开;

或者

还包括:设置于所述衬底上且仅覆盖所述发光区的具有发光功能的薄膜,所述具有发光功能的薄膜位于所述第一导电薄膜靠近所述衬底的一侧,且所述具有发光功能的薄膜在所述衬底上的正投影位于所述第二绝缘图案层在所述衬底上的正投影的边沿以内。

3.根据权利要求2所述的发光基板,其特征在于,还包括:

设置于所述衬底上且位于所述发光区的像素界定层,所述像素界定层限定出多个开口,所述具有发光功能的薄膜包括位于每个开口中的部分。

4.根据权利要求3所述的发光基板,其特征在于,所述像素界定层的材料为疏水材料,且所述像素界定层的材料和所述第二绝缘图案层的材料具有不同的玻璃化转变温度。

5.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,

沿远离所述发光区的方向,每个第一凹槽的底部的尺寸为4微米~6微米。

6.根据权利要求1所述的发光基板,其特征在于,

所述第一凹槽的数量为至少两个,且至少两个第一凹槽沿远离所述发光区的方向依次排列。

7.一种发光基板的制备方法,其特征在于,所述发光基板具有发光区,以及与所述发光区相邻的隔离区;所述制备方法包括:

在衬底上,且位于所述隔离区依次形成第一导电图案层和第二导电图案层;所述第一导电图案层的侧面相对于第二导电图案层的侧面向内缩进,形成有凹陷;

在形成有所述第一导电图案层和第二导电图案层的衬底上形成绝缘薄膜,并将所述绝缘薄膜图案化形成位于所述发光区的第二绝缘图案层和位于所述凹陷处的刻蚀阻挡部,所述第二绝缘图案层和所述刻蚀阻挡部之间具有第三间隙;同时,形成位于所述隔离区的第三绝缘图案层;在所述第三绝缘图案层远离所述衬底的表面形成至少一个第二凹槽,每个第二凹槽沿所述第一导电图案层靠近所述发光区的边沿延伸;

在形成有所述第二绝缘图案层和所述刻蚀阻挡部的衬底上形成第二导电薄膜,利用刻蚀液对所述第二导电薄膜中的一部分进行刻蚀,形成多个电极,所述刻蚀液能够与所述第一导电图案层的材料发生反应;

去除所述刻蚀阻挡部,同时,去除部分第三绝缘图案层,形成位于所述隔离区的第一绝缘图案层;将所述至少一个第二凹槽形成为至少一个第一凹槽。

8.根据权利要求7所述的发光基板的制备方法,其特征在于,所述绝缘薄膜的材料为第一光刻胶;

所述去除所述刻蚀阻挡部,包括:通过灰化工艺去除所述刻蚀阻挡部。

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