[发明专利]晶圆电性检测方法

说明书

本申请公开了一种晶圆电性检测方法，涉及半导体制造领域。该晶圆电性检测方法包括对晶圆进行热处理，去除所述晶圆上焊盘表面的水汽；将所述晶圆放置在电性检测机台，对所述晶圆进行电性测试；解决了目前受水汽影响的晶圆测试出的漏电参数等电性参数不准确的问题；达到了消除水汽影响，提高电性参数测量准确性的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种晶圆电性检测方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，在不同阶段会对半导体器件进行性能测试，以判断半导体器件的性能是否达到预期。在半导体器件封装之前，会有一些湿法制程，比如洗刷去除缺陷，或，环境本身水汽较大，晶圆上的焊盘受到影响，焊盘表面引入水汽。

在焊盘表面引入水汽后，焊盘表面的接触电阻可能会发生变化，在对晶圆进行电性测试时，焊盘表面的水汽会影响测试数据的准确性。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种晶圆电性检测方法。该技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种晶圆电性检测方法，该方法包括：

对晶圆进行热处理，去除所述晶圆上焊盘表面的水汽；

将所述晶圆放置在电性检测机台，对所述晶圆进行电性测试。

可选的，所述将所述晶圆放置在电性检测机台，对所述晶圆进行电性测试，包括：

将所述晶圆放置在电性检测机台，检测所述晶圆的漏电参数。

可选的，所述对晶圆进行热处理，去除所述晶圆上焊盘表面的水汽，包括：

将所述晶圆在预定温度下加热至少30分钟，烘干所述晶圆上焊盘表面的水汽。

可选的，所述预定温度为250℃至350℃。

可选的，所述对晶圆进行热处理，去除所述晶圆上焊盘表面的水汽，包括：

将所述晶圆放入烘箱进行热处理，烘干所述晶圆上焊盘表面的水汽。

可选的，所述对晶圆进行热处理，去除所述晶圆上焊盘表面的水汽，包括：

将所述晶圆放入真空烘烤腔体进行热处理，烘干所述晶圆上焊盘表面的水汽。

可选的，所述晶圆经过湿法制程处理。

可选的，所述晶圆电性检测方法应用于晶圆封装之前。

本申请技术方案，至少包括如下优点：

通过在进行电性检测之前对晶圆进行加热处理，去除晶圆上焊盘表面的水汽，消除水汽对焊盘表面接触电阻的影响，然后再进行晶圆的电性检测，解决了目前受水汽影响的晶圆测试出的漏电参数等电性参数不准确的问题；达到了消除水汽影响，提高电性参数测量准确性的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种晶圆电性检测方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。