[发明专利]一种矩阵式射线成像板制备方法有效
申请号: | 202010907766.3 | 申请日: | 2020-09-02 |
公开(公告)号: | CN112164702B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 郭素文;郑岩;张瑞君;全丽华;蔡震涛;陈磊 | 申请(专利权)人: | 上海洞舟实业有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201619 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 矩阵 射线 成像 制备 方法 | ||
本发明一种矩阵式射线成像板制备方法;其包括纳米射线探测材料、反光层、吸收剂、树脂粘结剂、保护层;其特征在于将粘结剂与吸收剂、射线探测材料按比例进行密炼、造粒,然后将造粒后的混合物置于模具内,在模具底部加入反光薄膜,利用热压方式将材料热压制备成板材,然后利用丝网印刷、喷涂、刮涂方式在表面制备出保护层,同时在成像板表面制备出矩阵列就得到所需的射线成像板,将矩阵成像板与TFT成像器件配合使用可以实现射线成像。
技术领域
本发明属医疗、工业、安检中射线成像技术领域。
背景技术
现有X光成像已经广泛用于医疗诊断的实时影像、大型安检成像等,现有成像传感器技术产品的结构主要是由:射线荧光板、无机半导体光传感元件、控制配套电路等组成,其中半导体光传感元件主要是非晶硅、非晶硒、CMOS、CCD等,这些的固态半导体器件形成复杂的矩阵感光像素平板,将荧光图像转为电信号,从而形成数字影像生成与存储。现有技术不足是上述无机半导体器件形成阵列具有复杂的工艺结构,不可弯曲,成像面积受到限制、像素较大、成本昂贵,器件体积较大等。中国专利:201016215901、2012103939402、2006100644606、2014103057586,美国专利US9735194、US5093576 揭示了现有技术制备原理与工艺。
本发明一种矩阵式射线成像板制备方法;其包括纳米射线探测材料、反光层、吸收剂、树脂粘结剂、保护层;其特征在于将粘结剂与吸收剂、射线探测材料按比例进行密炼、造粒,然后将造粒后的混合物置于模具内,在模具底部加入反光薄膜,利用热压方式将材料热压制备成板材,然后利用丝网印刷、喷涂、刮涂方式在表面制备出保护层,同时在成像板表面制备出矩阵列就得到所需的射线成像板,将矩阵成像板与TFT成像器件配合使用可以实现射线成像。
本发明可以用于医疗、工业、安检中X光成像技术领域,也可以用于便携式三维立体X光成像,中子成像、质子成像等。
发明内容
本发明一种矩阵式射线成像板制备方法;其包括纳米射线探测材料、反光层、吸收剂、树脂粘结剂、保护层;其特征在于将粘结剂与吸收剂、射线探测材料按比例进行密炼、造粒,然后将造粒后的混合物置于模具内,在模具底部加入反光薄膜,利用热压方式将材料热压制备成板材,然后利用丝网印刷、喷涂、刮涂方式在表面制备出保护层,同时在成像板表面制备出矩阵列就得到所需的射线成像板,将矩阵成像板与TFT成像器件配合使用可以实现射线成像。
本发明中纳米射线探测材料为ZnS;Ag、BaFCl;Eu、BaCl2、GOS;Tb、GOS;Pr、中的一种或多种;其颗粒尺寸分布范围为100-300nm。本发明中的反光层由PET基板和扩散剂组成的背光反射膜,扩散剂为PMMA微球、PC微球、PS微球、 PET微球中的一种或多种,其粒度分布为100-300nm;置于成像板的背面,降低光的闪射,提高成像效率。
本发明的吸收剂为6LiF、6LiCl、6Li2CO3、152Gd2O3、152GdF3中的一种或多种;通过在射线探测材料中添加吸收剂可以将射线吸收转化,提高安全性;树脂粘结剂为环氧树脂、聚苯胺、尼龙、纤维素、TPU、PVDF中的一种或多种;保护层为UV油墨、聚丙烯酰胺油墨、氟硅树脂油墨中的一种或多种,在成像板表面起到防潮、抗刮的作用。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海洞舟实业有限公司,未经上海洞舟实业有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010907766.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种接线端子插针压装装置及方法
- 下一篇:一种基于后轮转向的车辆稳定控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的