[发明专利]蚀刻组合物，使用其蚀刻半导体器件的绝缘膜的方法以及制备半导体器件的方法

权利要求书

1.一种蚀刻组合物，其包括：

磷酸、包含至少一个硅(Si)原子的硅烷化合物以及由以下式1表示的铵盐：

[式1]

其中：

L¹-L³独立地为取代或未取代的亚烃基，

R¹-R⁴独立地为氢、取代或未取代的烃基基团，以及

X^n-为n价阴离子，其中n为1-3的整数。

2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中X为选自卤素、C₁-C₁₀羧酸根、甲苯磺酸根、硫酸根、甲磺酸根、硫酸氢根、碳酸根、碳酸氢根、磷酸根、磷酸氢根、磷酸二氢根和硝酸根中的一种。

3.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中L¹-L³独立地为取代或未取代的C₁-C₅亚烷基。

4.根据权利要求3所述的蚀刻组合物，其中L¹-L³相同。

5.根据权利要求4所述的蚀刻组合物，其中L¹-L³为-CH₂CH₂-或-CH₂CH(CH₃)-。

6.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中所述烃基基团为取代或未取代的C₁-C₂₀烷基基团或取代或未取代的C₆-C₂₀芳基基团。

7.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中R¹-R³为氢，并且R⁴为氢或C₁-C₂₀烷基基团。

8.根据权利要求7所述的蚀刻组合物，其中R⁴为氢或-CH₃。

9.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，式1选自以下结构式1-结构式14：

其中OAc、OTs和OMs分别代表乙酸根、对甲苯磺酸根和甲磺酸根。

10.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中所述硅烷化合物由以下式2表示：

[式2]

其中，在式2中，

R⁵¹-R⁵⁴独立地为氢、取代或未取代的烃基基团或取代或未取代的杂烃基基团，并且R⁵¹-R⁵⁴独立地存在或它们中的两个以上通过杂原子形成环。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的蚀刻组合物，其包含70重量％-95重量％的所述磷酸、0.001重量％-5重量％的所述硅烷化合物和0.001重量％-10重量％的由式1表示的所述铵盐。

12.一种使用权利要求1-10中任一项所述的蚀刻组合物蚀刻绝缘膜的方法。

13.一种制备半导体器件的方法，其包括：

在基板上依次形成隧穿氧化物膜、多晶硅膜、缓冲氧化物膜和垫氮化物膜；

通过选择性地刻蚀所述多晶硅膜、所述缓冲氧化物膜和所述垫氮化物膜形成沟槽；

形成SOD氧化物膜以间隙填充所述沟槽；

使用所述垫氮化物膜作为抛光停止膜在所述SOD氧化物膜上进行化学机械抛光(CMP)工艺；

使用权利要求1-10中任一项所述的蚀刻组合物通过湿法蚀刻来去除所述垫氮化物膜；和

去除所述缓冲氧化物膜。