[发明专利]反射性光罩及其制造方法

说明书

一种反射性光罩及其制造方法，反射性光罩包括基板、设置在基板上的反射性多层、设置在反射性多层上的覆盖层、设置在覆盖层上的光催化层，及设置在光催化层上且携载具有开口的电路图案的吸收层。光催化层的部分在吸收层的开口处被曝光，且光催化层包括选自由氧化钛(TiO₂)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)及硫化镉(CdS)组成的群组的一者。

技术领域

本揭露关于一种反射性光罩及其制造方法。

背景技术

用于半导体制造中的微影的辐射的波长已自紫外线减小至深紫外线(deepultraviolet；DUV)，且最近减小至极紫外线(extreme ultraviolet；EUV)。元件大小的进一步减小要求微影解析度的进一步提高，此可使用极紫外线微影(extreme ultravioletlithography,EUVL)实现。EUVL采用具有约1nm至100nm(例如，13.5nm)的波长的辐射。因为投影透镜型曝光装置无法用于EUV微影中，所以EUV微影中需要全反射光学系统。因此，具有高反射率的EUV反射结构(反射器，诸如，镜子)为EUV微影中的关键技术之一。在EUV微影制程期间使用反射性光罩以形成具有较小特征大小的集成电路。然而，现有反射性光罩易受制造制作缺陷(诸如，氧化)影响，且容易损坏。因此，需要一种反射性光罩及其制造方法以便解决以上问题。

发明内容

依据本揭露的部分实施例，一种反射性光罩包括：一基板；一反射性多层设置在该基板上；一覆盖层设置在该反射性多层上；一光催化层设置在该覆盖层上；以及一吸收层设置在该光催化层上并携载具有开口的电路图案，其中：该光催化层的部分在该吸收层的所述开口处曝露，该光催化层包括选自由氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)及硫化镉(CdS)组成的群组的一者。

依据本揭露的部分实施例，一种反射性光罩，包括：一基板；一反射性多层，设置在该基板上；一吸收层，设置在该反射性多层之上且携载具有开口的电路图案；以及一光催化层，设置在该吸收层上且在该吸收层的所述开口处设置在该反射性多层之上，其中该光催化层包括选自由氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)及硫化镉(CdS)组成的群组的一者。

依据本揭露的部分实施例，一种制造一反射性光罩的方法包括：在一光罩素材之上形成一光阻层，该光罩素材包括一基板、在该基板上的一反射性多层、在该反射性多层上的吸收层，及一硬光罩层；图案化该光阻层；使用该经图案化的光阻层作为一蚀刻光罩来图案化该硬光罩层；移除该经图案化的光阻层；通过使用经图案化的该硬光罩层作为一蚀刻光罩来图案化该吸收层；以及在经图案化的该吸收层之上形成一光催化层，其中：该吸收层携载具有开口的电路图案，该光催化层在该吸收层的所述开口处经形成在该反射性多层之上，以及该光催化层包括选自由氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)及硫化镉(CdS)组成的群组的一者。

附图说明

当结合随附诸图阅读时，得以自以下详细描述最佳地理解本揭示案。应强调，根据行业上的标准实务，各种特征并未按比例绘制且仅用于说明目的。事实上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1A为根据本揭示案的实施例的用于极紫外线(EUV)微影曝光工具中的反射性光罩的横截面图。图1B为用于图1A的反射性光罩的光罩素材的横截面图；

图2为根据本揭示案的实施例的EUV反射性光罩的依序制造制程的流程图；

图3A为根据本揭示案的实施例的用于EUV微影曝光工具中的反射性光罩的横截面图。图3B为用于图3A的反射性光罩的光罩素材的横截面图；

图4为根据本揭示案的实施例的用于EUV微影曝光工具中的反射性光罩的横截面图；

图5为根据本揭示案的实施例的EUV反射性光罩的依序制造制程的流程图；