[发明专利]垂直晶体管阵列以及形成垂直晶体管阵列的方法

权利要求书

1.一种形成垂直晶体管阵列的方法，其包括：

形成包括晶体管材料的横向隔开且水平拉长的线，以及位于紧接横向邻近的所述晶体管-材料线之间的水平拉长的导体线，所述晶体管材料包括沟道区，其将成为个别垂直晶体管，所述导体线直接电耦合到所述导体线的两个侧边上的所述晶体管-材料线的所述沟道区；

切割所述晶体管-材料线，以形成个别地包括所述个别垂直晶体管的所述沟道区的隔开的导柱，所述导体线将多个所述垂直晶体管的所述导柱的所述沟道区中的个别沟道区直接电耦合在一起；以及

在所述导柱的所述个别沟道区上方形成上部源极/漏极区，在所述导柱的所述个别沟道区下方形成下部源极/漏极区，且形成导电栅极线，所述导电栅极线以操作方式在所述导柱的所述个别沟道区的旁边，且互连多个所述垂直晶体管。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述晶体管-材料线之后形成所述导体线。

3.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述晶体管-材料线形成为比所述导体线高。

4.根据权利要求1所述的方法，形成所述导体线以具有低于在所述导体线的两个侧边上的所述晶体管-材料线的所述沟道区的顶部的顶部。

5.根据权利要求1所述的方法，形成所述导体线以具有与在所述导体线的两个侧边上的所述晶体管-材料线的所述沟道区的顶部竖向重合的顶部。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

最初将所述导体线形成为不直接电耦合到所述导体线的两个侧边上的所述晶体管-材料线的所述沟道区；且

在形成所述晶体管-材料线和所述导体线之后，通过形成直接抵靠且横跨所述导体线与所述导体线的两个侧边上的所述晶体管-材料线的所述沟道区之间的导电材料，所述导体线直接电耦合所述导体线的两个侧边上的所述晶体管-材料线的所述沟道区。

7.根据权利要求6所述的方法，其包括将所述导电材料形成为在成品构造中直接抵靠所述导体线的侧边。

8.根据权利要求7所述的方法，其包括形成所述导电材料，其在所述成品构造中，直接抵靠将仅直接抵靠所述导体线的所述侧边的所述导体线。

9.根据权利要求6所述的方法，其包括将所述导电材料形成为在成品构造中直接抵靠所述导体线的顶部。

10.根据权利要求9所述的方法，其包括形成所述导电材料，其在所述成品构造中，直接抵靠将仅直接抵靠所述导体线的所述顶部的所述导体线。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述切割并不完全穿过所述晶体管-材料线的所述晶体管材料，因此留下所述晶体管材料的连续线，其水平铺设在所述导柱下方，且所述导柱从其向上突起。

12.根据权利要求1所述的方法，其包括切割所述导体线，以形成从所述导体线的导体材料的连续线向上突起的隔开的导电柱。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述晶体管-材料线的所述切割和所述导体线的所述切割将单个共用掩蔽步骤用于两者。

14.根据权利要求1所述的方法，其包括在个别金属-材料线正上方、直接抵靠所述个别金属-材料线以及水平地沿所述个别金属-材料线形成所述晶体管-材料线。

15.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述导体线和所述导电栅极线形成为相对于彼此成角度。

16.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述导柱中的个别导柱中形成所述上部源极/漏极区。