[发明专利]具有位在接合垫侧壁上的间隙子的半导体元件及制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一接合垫，设置在一半导体基底上；

一第一间隙子，设置在该接合垫的一侧壁上；

一第一钝化层，覆盖该接合垫与该第一间隙子；以及

一导电凸块，设置在该第一钝化层上，其中该导电凸块经过该接合垫而电性连接到一源极/漏极区，该源极/漏极区位在该半导体基底中。

2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一介电层，位在该接合垫与该半导体基底之间，其中该第一钝化层与该介电层包含富含硅的氧化物。

3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一阻障层，位在该接合垫与该介电层之间，其中该第一间隙子直接接触该阻障层与该介电层。

4.如权利要求1所述的半导体元件，还包括：

一抗反射涂布层，设置在该接合垫上；以及

一第二间隙子，设置在该第一间隙子上，并直接接触该抗反射涂布层，其中该第一钝化层覆盖该抗反射涂布层与该第二间隙子。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第二间隙子的一最底表面与该第一间隙子的一最底表面齐平，或者是该第二间隙子的该最底表面高于该第一间隙子的该最底表面。

6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一第二钝化层，位在该第一钝化层与该接合垫之间，其中该第二钝化层覆盖该第一间隙子，而该第一钝化层与该第二钝化层围绕该导电凸块的一部分设置。

7.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一导电通孔，位在该接合垫与该源极/漏极区之间，其中一气隙围绕该导电通孔设置。

8.一种半导体元件，包括：

一接合垫，设置在一半导体基底上；

一第一间隙子，设置在该接合垫的一侧壁上；

一第二间隙子，设置在该第一间隙子上；

一第一钝化层，覆盖该接合垫与该第二间隙子，其中该第一钝化层包含富含硅的氧化物；以及

一导电凸块，设置在该接合垫上，其中该导电凸块延伸在该第一钝化层上，并电性连接到一源极/漏极区，该源极/漏极区位在该半导体基底中。

9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一第二钝化层，位在该接合垫与该第一钝化层之间，其中该第一间隙子通过该第二间隙子而与该第二钝化层相互间隔设置。

10.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一第一介电层，位在该接合垫与该半导体基底之间，其中该第一间隙子与该第二间隙子设置在该第一介电层上，而该第一介电层包含富含硅的氧化物。

11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一间隙子与该第二间隙子直接接触该第一介电层。

12.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第一间隙子呈L形，而该第二间隙子通过该第一间隙子而与该第一介电层相互间隔设置。

13.如权利要求10所述的半导体元件，还包括：

一第二介电层，形成在该第一介电层与该半导体基底之间；以及

一第三介电层，形成在该第二介电层与该半导体基底之间，其中该第二介电层的一硅含量大于该第三介电层的一硅含量；以及

一导电通孔，形成在该第三介电层中，其中一气隙位在该导电通孔与该第三介电层之间。

14.一种半导体元件的制备方法，包括：

形成一源极/漏极区在一半导体基底中；

形成一接合垫在该半导体基底上；

形成一第一间隙子在该接合垫的一侧壁上；

形成一第一钝化层以覆盖该接合垫与该第一间隙子；以及

形成一导电凸块在该第一钝化层上，其中该导电凸块穿经该第一钝化层而电性连接到该接合垫与该源极/漏极区。