[发明专利]一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法

权利要求书

1.一种锑基光电探测器表面漏电流处理方法，其特征在于，包括：

将经过预处理之后的晶片通过预先设置好工艺参数的刻蚀设备进行刻蚀；

对刻蚀后的晶片通过预先配制的腐蚀溶液进行腐蚀处理；

在腐蚀处理后晶片的像元表面镀上预设电介质层，以完成器件表面漏电流处理；

对刻蚀后的晶片通过预先配制的腐蚀液进行腐蚀处理之前，还包括：

去除刻蚀后晶片上的冷却油；

通过紫外光以及臭氧对晶片进行氧化处理；

将氧化处理后的晶片置于预先配制的酸溶液中，以去除所述晶片上的氧化层；

预先配制腐蚀溶液，包括：

将柠檬酸腐蚀液、磷酸腐蚀液、双氧水和水按照预设比例配制成腐蚀溶液；

在腐蚀处理后晶片的像元表面镀上预设电介质层，包括：

通过化学气相沉积设备基于预设镀膜参数在腐蚀处理后晶片的像元表面镀上预设电介质层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过预先设置好工艺参数的刻蚀设备进行刻蚀之前，还包括：

对光刻后的晶片表面进行清洁处理；

在将清洁处理之后的晶片装入刻蚀设备的进样室；

将所述刻蚀设备的进样室进行抽真空处理。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺参数至少包括如下之一：

刻蚀气体流量、刻蚀功率、工作压力、氦气压力和刻蚀时间。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镀膜参数至少包括如下之一：镀膜温度、镀膜气体流量、镀膜压力、射频功率和沉积时间。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过化学气相沉积设备基于预设镀膜参数在腐蚀处理后晶片的像元表面镀上预设电介质层，包括：

通过化学气相沉积设备基于预设镀膜参数在腐蚀处理后晶片的像元表面依次镀上预设厚度的二氧化硅膜和氮氧化硅膜。