[发明专利]一种电力继电保护设备智能出口模块及其容错控制方法有效

专利信息
申请号: 202010910102.2 申请日: 2020-09-02
公开(公告)号: CN112130486B 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 周华良;马玉龙;赵锋荣;甘云华;陶翔;邹志杨 申请(专利权)人: 国电南瑞科技股份有限公司;国电南瑞南京控制系统有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042;H02H1/00;G06F11/36
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 张倩倩
地址: 211106 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电力 保护 设备 智能 出口 模块 及其 容错 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种电力继电保护设备智能出口模块容错控制方法,智能出口模块包括出口继电器和出口电源,出口继电器通过一电源回路连接出口电源;其特征是,包括:

检查指令处理代码是否出错,若出错,则按照预设的纠错策略进行代码修复,若指令处理代码无法通过所述纠错策略修复,则生成出口电源闭锁信号;

接收外部输入的出口指令信号,并响应于接收到所述出口指令信号,执行所述指令处理代码对出口指令信号进行处理,得到用于控制所述电源回路导通或断开的出口控制信号;

接收外部输入的出口电源启动信号;

响应于出口电源闭锁信号生成和/或出口电源启动信号为低电平,则控制所述电源回路与出口电源断开连接;响应于出口电源启动信号为高电平且出口电源闭锁信号未生成,则控制所述电源回路与出口电源连通。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征是,智能出口模块还包括指令处理单元MCU和出口电源控制单元;所述方法还包括:响应于智能出口模块上电,在MCU的片内RAM中加载预存储的指令处理代码;所述指令处理代码的原始代码预存储于MCU的片内Flash中;

检查指令处理代码是否出错以及对出错的指令处理代码进行代码修复的进程运行于MCU的片内Flash中。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征是,检查指令处理代码是否出错为:

MCU主循环程序在运行中实时检查加载至片内RAM的指令处理代码是否出错。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征是,

所述指令处理代码包括第一指令处理代码和第二指令处理代码;

所述出口控制信号的获得包括:MCU通过两个通信通道分别接收出口指令信号,并分别执行第一指令处理代码和第二指令处理代码对接收到的出口指令信号进行处理,获得处理结果信号,两个处理结果信号即为出口控制信号;

MCU通过两个处理结果信号控制继电器所连接的电源回路导通或断开。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征是,MCU中,片内RAM包括用于加载和运行指令处理代码的代码区,以及用于存储代码校验码的数据区;

检查指令处理代码是否出错包括:

读取第一指令处理代码和第二指令处理代码内容;

分别根据第一指令处理代码和第二指令处理代码内容计算校验码;

判断RAM代码区的第一指令处理代码和第二指令处理代码,与Flash区预存储的相应原始代码是否内容一致,若RAM代码区的第一指令处理代码和第二指令处理代码与Flash区的相应原始代码均一致则未出错,否则将代码内容不一致的第一指令处理代码或第二指令处理代码判断为代码出错。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征是,方法还包括:在检查指令处理代码是否出错过程中,响应于代码未出错,将计算得到的第一指令处理代码和第二指令处理代码的校验码写入RAM数据区;

对应第一指令处理代码和第二指令处理代码的校验码在RAM数据区中分别存储;

所述按照预设的纠错策略进行代码修复包括:

a)判断出错指令处理代码的RAM代码区代码与Flash内存储的原始代码是否只有1bit位不同,若是,则转至步骤b),否则转至步骤d);

b)计算Flash内原始代码的校验码,并判断RAM数据区中校验码与原始代码的校验码是否一致:若一致,则将Flash内原始代码作为正确代码,对RAM代码区的相应出错代码进行修复,并将计算得到的校验码更新至相应的RAM数据区,覆盖原校验码;否则转至步骤c);

c)计算RAM代码区出错指令处理代码的校验码,并将其与当前RAM数据区存储的相应校验码进行比较:若两者一致,则将RAM代码区出错指令处理代码作为正确代码,对Flash内的相应原始代码进行修复;若两者不一致,则判断为出错指令处理代码无法通过纠错策略修复;

d)判断为出错指令处理代码无法通过纠错策略修复。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征是,步骤c)还包括,响应于出错指令处理代码无法通过纠错策略修复,输出单粒子效应报警信号;

步骤d)还包括,输出其它错误报警信号。

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