[发明专利]显示面板和显示装置有效
申请号: | 202010910315.5 | 申请日: | 2020-09-02 |
公开(公告)号: | CN112038375B | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 刘明星;马天;赵栋;王煜;邵静;邵阳 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 方晓燕 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括基板,以及设置于基板上的像素电极层;
所述像素电极层包括多个像素电极组,所述多个像素电极组沿第一方向和第二方向阵列排列;每个所述像素电极组中包括沿第三方向排列的第一子像素电极和第三子像素电极,以及沿第四方向排列的第二子像素电极和第四子像素电极,所述第一子像素电极和所述第三子像素电极位于所述第二子像素电极几何中心点与第四子像素电极几何中心点连线的两侧;
所述第二子像素电极沿所述第一方向的投影与所述第一子像素沿所述第一方向的投影部分重叠;所述第二子像素电极沿所述第二方向的投影与所述第三子像素电极沿所述第二方向的投影部分重叠;
所述第四子像素电极沿所述第一方向的投影与所述第三子像素电极沿所述第一方向的投影部分重叠;所述第四子像素电极沿所述第二方向的投影与所述第一子像素电极沿所述第二方向的投影部分重叠;
以任一所述像素电极组为第一像素电极组,以与所述第一像素电极组在第一方向上相邻的所述像素电极组为第二像素电极组,以与所述第一像素电极组在第二方向上相邻的所述像素电极组为第三像素电极组,在所述第一像素电极组中的所述第二子像素电极与所述第四子像素电极之间的最小距离为L1,所述第二像素电极组中的所述第四子像素电极与所述第三像素电极组中的所述第二子像素电极之间最小距离沿所述第四方向投影的长度为L2,其中L1<L2<2L1。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,在任一所述像素电极组和与其在X方向上相邻或与其在Y方向上相邻的像素电极组中,任一所述像素电极组中的所述第一子像素电极沿所述第四方向的投影与非该像素电极组中的所述第三子像素电极沿所述第四方向的投影部分重叠。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括:
设置于像素电极层上的发光材料层;
所述发光材料层包括位置与所述多个像素电极组一一对应的多个像素发光材料组;每个所述像素发光材料组包括沿第三方向依次排列的第一发光材料部、第二发光材料部和第三发光材料部;
在所述像素电极组和与其对应的像素发光材料组中,所述第一子像素电极位于所述第一发光材料部于所述基板上的垂直投影之内,所述第三子像素电极位于所述第三发光材料部于所述基板上的垂直投影之内,所述第二子像素电极和所述第四子像素电极位于所述第二发光材料部于所述基板上的垂直投影之内。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,在每个所述像素发光材料组中,所述第二发光材料部包括沿所述第四方向设置且以所述第一子像素电极和第三子像素电极几何中心点连线为对称轴对称的第一扩张部分和第二扩张部分、以及连接在所述第一扩张部分和所述第二扩张部分之间的过渡部分,其中,所述过渡部分具有朝向所述第二子像素电极和第四子像素电极几何中心点连线相对内凹的两条内凹侧边缘;所述第一发光材料部具有朝向与其相邻的一条内凹侧边缘沿伸的第一突出部,所述第三发光材料部具有朝向与其相邻的一条内凹侧边缘沿伸的第二突出部。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第三方向和所述第四方向均与所述第一方向和所述第二方向存在倾斜夹角,所述第一方向和所述第二方向正交,所述第三方向和所述第四方向正交。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,在每个所述像素电极组中,所述第二子像素电极和第四子像素电极几何中心点连线与所述第四方向平行,所述第一子像素电极和第三子像素电极几何中心点连线与所述第三方向平行。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,在所述第一像素电极组中的所述第二子像素电极的几何中心和所述第四子像素电极的几何中心、所述第二像素电极组中的所述第四子像素电极的几何中心以及所述第三像素电极组中所述第二子像素电极的几何中心的连线构成第一虚拟四边形,所述第一虚拟四边形的最小内角大于等于60°,小于等于90°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的