[发明专利]电容阵列电路、充放电电路及RC振荡电路

说明书

本申请公开了一种电容阵列电路，包括N个电容及与N个电容一一对应的N个MOS管，每个MOS管的漏极通过不同的金属线与对应的电容的一端连接，每个MOS管的源极接地，每个MOS管的栅极用于接收控制信号以分别控制每个MOS管的导通和截止；N个电容的另一端连接至一公共端；N个电容中的第n‑1个电容的容值Cn‑1为第n个电容的容值Cn的a倍；N个MOS管中的第n‑1个MOS管的导通电阻和第n‑1个电容与第n‑1个MOS管之间的金属线的电阻之和为第n个MOS管的导通电阻和第n个电容与第n个MOS管之间的金属线的电阻之和的a倍。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，特别涉及一种电容阵列电路、充放电电路及RC振荡电路。

背景技术

电子设备通常采用振荡器产生所需的时钟信号。振荡器具有多种类型，其中RC振荡器因具有成本低、功耗低、频率可调节等优点，得到了广泛的应用。然而，RC振荡器对寄生参数较敏感，寄生参数与RC振荡器的版图设计、工艺以及温度相关，因此，RC振荡器的输出频率误差较大。

RC振荡器通常采用电容阵列电路调节输出频率，但传统的电容阵列电路往往忽略寄生电阻对电容阵列电路的总电容的影响，从而导致电容阵列电路对RC振荡器输出频率的调节呈现非单调性，导致RC振荡器的输出频率误差较大。

发明内容

为了克服上述现有技术存在的问题，本申请的主要目的在于提供一种能够实现对RC振荡器输出频率的单调性调节从而提高RC振荡器输出频率的精度的电容阵列电路、充放电电路及RC振荡电路。

为了实现上述目的，本申请具体采用以下技术方案：

本申请提供了一种电容阵列电路，包括：

N个电容；

N个MOS管，与所述N个电容一一对应，其中，所述N个MOS管中的每个MOS管的漏极通过不同的金属线与对应的电容的一端连接，所述每个MOS管的源极接地，所述每个MOS管的栅极用于接收控制信号以分别控制所述每个MOS管的导通和截止；

所述N个电容的另一端连接至一公共端，所述公共端作为电容输出端；

所述N个电容中的第n-1个电容的容值为Cn-1，第n个电容的容值为Cn，Cn=aCn-1；

所述N个MOS管中的第n-1个MOS管的导通电阻为R_onn-1，第n个MOS管的导通电阻为R_onn；

第n-1个电容与第n-1个MOS管之间的金属线的电阻为R_netn-1，第n个电容与第n个MOS管之间的金属线的电阻为R_netn；

其中，R_netn-1与R_onn-1之和大于或等于R_netn与R_onn之和的a倍，其中，a大于1，N为大于或等于2的整数，n=[2，N]。

优选地，第n-1个MOS管的宽度与长度的比值为Mn-1，第n个MOS管的宽度与长度的比值为Mn，第n个MOS管的宽度与长度的比值Mn为第n-1个MOS管的宽度与长度的比值Mn-1的b倍，b=a，第n-1个电容与第n-1个MOS管之间的金属线的电阻R_netn-1大于或等于第n个电容与第n个MOS管之间的金属线的电阻R_netn的a倍。

优选地，a=b=2，第n-1个电容与第n-1个MOS管之间的金属线的电阻R_netn-1大于或等于第n个电容与第n个MOS管之间的金属线的电阻R_netn的2倍。