[发明专利]一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法

权利要求书

1.一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将CeF3单晶切割成长棒并滚圆分别作为籽晶和料棒；

S2、将料棒固定于下进给装置上，将籽晶固定于上部提拉装置上，并控制料棒顶部截面中心置于激光加热中心使得第一料棒顶部熔融成半球状熔体；

S3、将籽晶接触料棒顶部的半球状熔体，保温5～10分钟后，开始提拉籽晶和馈送料棒，直至籽晶直径收缩至0.8mm后进行等径生长，得到直径为0.8mm的CeF3单晶光纤。

2.如权利要求1所述的一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，其特征在于，步骤S1中的所述圆棒长度为50mm，直径为2mm。

3.如权利要求1所述的一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，其特征在于，步骤S2中的所述激光加热中心的功率为45～60W，加热时间为3～5分钟。

4.如权利要求1所述的一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，其特征在于，步骤S3中的所述等径生长的参数包括：提拉速度为40～60mm/小时，馈送速度为6～18mm/小时，激光功率为45～60W，生长时间为2～5小时；优选地，所述提拉速度和馈送速度的比为(5～10)：1。

5.如权利要求1所述的一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，其特征在于，所述光纤为高纯CeF3单晶，且所述光纤直径0.8mm，所述的光纤长度可达115mm。

6.如权利要求1所述的一种激光加热基座法制备CeF3单晶光纤的方法，其特征在于，所述CeF3单晶为六方晶系，易潮解，难溶于水，熔点为1640℃，沸点为2300℃，密度为6.16g/cm3，解理面为(001)。