[发明专利]电平移位电路

权利要求书

1.一种电平移位电路，用于将第一电压域的信号转换为第二电压域的信号；其特征在于：所述电平移位电路包括：

第一电压域电路，接收处于第一电压域的输入信号；所述第一电压域的信号在第一高电平电位和第一低电平电位之间切换；

中间电压域电路，用于将所述输入信号转为中间电压域信号；其中，所述中间电压域信号在第二高电平电位和所述第一低电平电位之间切换；所述第一高电平电位和所述第二高电平电位不同；

所述中间电压域电路包括控制单元，所述控制单元用于升高所述中间电压域信号的最低电平电位；

第二电压域电路，用于将所述中间电压域信号转换为第二电压域信号并输出；其中，所述第二电压域信号在所述第二高电平电位和第二低电平电位之间切换；所述第一高电平电位和所述第二高电平电位均大于所述第一低电平电位和所述第二低电平电位；所述第一低电平电位和所述第二低电平电位不相同。

2.如权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于：所述第一高电平电位小于所述第二高电平电位；所述第一低电平电位小于所述第二低电平电位；所述中间电压域电路用于将所述第一电压域的所述第一高电平电位转换为所述第二电压域的所述第二高电平电位。

3.如权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于：所述第一电压域电路输出第一输出信号和第二输出信号；其中，所述第一输出信号和所述第二输出信号互为反相信号；所述中间电压域电路包括第一输入晶体管、第二输入晶体管、第一控制晶体管、第二控制晶体管、第一输出晶体管以及第二输出晶体管；所述第一输入晶体管的栅极接收所述第一输出信号，所述第二输入晶体管的栅极接收所述第二输出信号；所述第一输入晶体管的源极和所述第二输入晶体管的源极同时接收所述第一低电平电位电性连接，所述第一输入晶体管的漏极通过所述第一控制晶体管第一结点与所述第一输出晶体管的漏极电性连接，所述第二输入晶体管的漏极通过所述第二控制晶体管和第二结点与所述第二输出晶体管的漏极电性连接；所述第一输出晶体管的栅极与所述第二结点电性连接，所述第二输出晶体管的栅极与所述第一结点电性连接，所述第一输出晶体管的源极和所述第二输出晶体管的源极接收第二高电平电位；所述第一控制晶体管的栅极和所述第二控制晶体管的栅极接收第二低电平电位，所述第一控制晶体管的源极与所述第一结点电性连接，所述第一控制晶体管的漏极与所述第一输入晶体管的漏极电性连接，所述第二控制晶体管的源极与所述第二结点电性连接，所述第二控制晶体管的漏极与所述第二输入晶体管的漏极电性连接。

4.如权利要求3所述的电平移位电路，其特征在于：所述电平移位电路还包括屏蔽单元；所述屏蔽单元包括第一屏蔽晶体管和第二屏蔽晶体管；所述第一屏蔽晶体管的栅极接收所述第一高电平电位，所述第一屏蔽晶体管的源极与所述第一输入晶体管的漏极电性连接，所述第一屏蔽晶体管的漏极与所述第一控制晶体管的漏极电性连接；所述第二屏蔽晶体管的栅极接收所述第一高电平电位，所述第二屏蔽晶体管的源极与所述第二输入晶体管的漏极电性连接，所述第二屏蔽晶体管的漏极与所述第二控制晶体管的漏极电性连接。

5.如权利要求4所述的电平移位电路，其特征在于：所述屏蔽单元进一步还包括第三屏蔽晶体管和第四屏蔽晶体管；所述第三屏蔽晶体管的栅极与所述第一输入晶体管的栅极电性连接，所述第三屏蔽晶体管的源极接收所述第一高电平电位，所述第三屏蔽晶体管漏极电性连接于所述第一屏蔽晶体管的源极和所述第一输入晶体管的漏极之间；所述第四屏蔽晶体管的栅极与所述第二输入晶体管的栅极电性连接，所述第四屏蔽晶体管的源极接收所述第一高电平电位，所述第三屏蔽晶体管的漏极电性连接于所述第二屏蔽晶体管的源极和所述第二输入晶体管的漏极之间。