[发明专利]一种新型绝缘体上硅晶圆及其制造方法

权利要求书

1.一种新型绝缘体上硅晶圆，包括：

第一衬底，其材料组分为硅或二氧化硅；

第一埋氧层，生长在所述第一衬底上，所述第一埋氧层材料组分为二氧化硅；

第二埋氧层，生长在所述第一埋氧层上，所述第二埋氧层材料组分为二氧化硅；

第二衬底，生长在所述第二埋氧层上，所述第二衬底材料组分为硅。

2.根据权利要求1所述的新型绝缘体上硅晶圆，其中，所述第一埋氧层的材料组分为折射率可调的二氧化硅。

3.根据权利要求2所述的新型绝缘体上硅晶圆，其中，所述第一埋氧层的二氧化硅材料的折射率范围是1.4～1.6，所述第一埋氧层厚度为5μm～20μm。

4.根据权利要求1所述的新型绝缘体上硅晶圆，其中，所述第二埋氧层的材料组分为折射率可调的二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的新型绝缘体上硅晶圆，其中，所述第二埋氧层的二氧化硅材料的折射率范围是1.4～1.6，所述第二埋氧层厚度为2μm～6μm。

6.根据权利要求3或5所述的新型绝缘体上硅晶圆，其中，所述第二埋氧层在第一埋氧层上方并且第二埋氧层折射率大于第一埋氧层折射率。

7.一种新型绝缘体上硅晶圆的制造方法，包括：

准备第一衬底；

在所述第一衬底上表面制造第一埋氧层；

准备第二衬底；

在所述第二衬底上表面制造第二埋氧层；

通过键合工艺，将所述第一衬底上覆盖第一埋氧层的一侧与第二衬底上覆盖第二埋氧层的一侧连接，形成绝缘体上硅晶圆雏形；

通过减薄工艺，在所述绝缘体上硅晶圆雏形的第二衬底的一侧形成薄层硅，该薄层硅的厚度为0.1μm～1μm，得到如权利要求1至6中任一项所述的新型绝缘体上硅晶圆。

8.根据权利要求7所述的新型绝缘体上硅晶圆的制造方法，其中，在所述第一衬底上表面制造第一埋氧层的步骤包括，采用沉积或掺杂工艺制造所述第一埋氧层；在所述第二衬底上表面制造所述第二埋氧层的步骤包括，通过沉积、氧化或掺杂工艺覆盖所述第二埋氧层。

9.根据权利要求7所述的新型绝缘体上硅晶圆的制造方法，其中，所述键合工艺的步骤包括，

将所述第一埋氧层和所述第二埋氧层清洗并抛光；

将所述第一埋氧层和所述第二埋氧层浸入含醇的溶液中浸泡，硅片表面水解形成硅醇键；

将第一埋氧层与第二埋氧层贴合，缓慢加热至110℃，然后在氧气或氮气环境中加热到150℃～1000℃进行退火，完成键合，使覆盖第一埋氧层的第一衬底与覆盖第二埋氧层的第二衬底形成一整体。

10.根据权利要求7所述的新型绝缘体上硅晶圆的制造方法，其中，所述减薄工艺的步骤包括，采用腐蚀、抛光或智能剥离技术对所述绝缘体上硅晶圆雏形的第二衬底一侧进行减薄处理。