[发明专利]用于处理基板的装置和方法

权利要求书

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：

腔室，在其中具有处理空间；

支撑单元，其被构造为在所述处理空间中支撑所述基板；

气体供应单元，其被构造为将处理气体供应到所述处理空间中；和

等离子体生成单元，其被构造为从所述处理气体生成等离子体，

其中，所述支撑单元包括：

支撑板，在其上放置所述基板；

第一环，其被构造为围绕放置在所述支撑板上的所述基板；

第二环，其被设置在所述第一环的下方，并被构造为围绕所述支撑板；和

气体供应构件，其被构造为在所述第一环上方供应气体，以及

其中，所述气体供应构件包括穿过所述第一环和所述第二环而竖直形成的气体管线。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述气体供应构件还包括：

气体供应部件，其被构造为将气体供应到所述气体管线中；和

气体调节器，其被构造为调节供应到所述气体管线中的所述气体的量。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，当执行清洁所述腔室的工艺时，所述气体供应部件供应氦气以保护所述第一环的表面不受等离子体的影响。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，当执行清洁所述腔室的工艺时，所述气体供应部分供应四氯化硅(SiCl₄)气体以覆盖所述第一环的表面。

5.根据权利要求2所述的装置，其中，当在所述腔室中执行基板处理工艺时，所述气体供应部件供应氧气(O₂)气体、六氟环丁烯(C₄F₆)气体和八氟环丁烷(C₄F₈)气体中的至少一种，以提高所述基板的边缘区域中的处理效率。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二环在其上表面上具有台阶部，该台阶部从设置有所述气体管线的区域向上突出。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，在设置有所述气体管线的区域中，在所述第一环和所述第二环之间设置有联接构件。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述联接构件是O型环。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，在所述第一环和所述第二环的外表面上设置有螺栓环，所述螺栓环被构造为固定所述第一环和所述第二环并按压所述O型环。

10.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：

腔室，在其中具有处理空间；和

支撑单元，其被构造为在所述处理空间中支撑所述基板；

其中，所述支撑单元包括：

支撑板，在其上放置所述基板；

聚焦环，其被构造为围绕放置在所述支撑板上的所述基板；

插入环，其设置在所述聚焦环下方并被构造为围绕所述支撑板；

绝缘环，其被构造为使所述聚焦环和所述插入环绝缘；和

气体管线，其穿过所述聚焦环、所述插入环和所述绝缘环而形成。

11.根据权利要求10所述的装置，还包括：

气体供应构件，其被构造为通过所述气体管线在所述聚焦环上方供应气体。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述气体是氦气、四氯化硅(SiCl₄)气体、氧气(O₂)气体、六氟环丁烯(C₄F₆)气体和八氟环丁烷(C₄F₈)气体中的至少一种。

13.一种使用权利要求1的装置处理基板的方法，所述方法包括：

在通过在所述处理空间中使用等离子体状态的气体来执行处理工艺的同时，通过所述气体管线在所述第一环上方供应气体。