[发明专利]一种新型调制MOS集成RG的方法

说明书

本发明公开了一种新型调制MOS集成RG的方法，包括以下步骤：根据实际情况设计RG结构；版图设计定型；根据版图计算方块电阻的大小；根据方阻的大小，选择poly implant（多晶注入）的工艺条件；实施poly implant（多晶注入）的操作；最终形成RG电阻,本发明通过多晶注入掺杂的搭配，可以实现不同RG的组合，实现不同RG的集成数值，具有操作简单，节约改版成本的优点。

技术领域

本发明涉及电子元器件领域，特别涉及一种新型调制MOS集成RG的方法。

背景技术

功率电子器件是电磁干扰EMI(Electromagnetic Interference)的发射机。由于近年来科学技术的发展和功率半导体器件开关性能的不断改善,开关频率不断增加,电磁兼容成为一个重要的课题。功率MOS器件作为功率开关管被应用于不同工业领域中,器件工作在on/off的快速循环转换状态,开关瞬态的电压变化率dv/dt和电流变化率di/dt急剧变化,会产生很高的EMI并辐射至周围电路，栅电阻RG的大小很多程度上决定着MOS关断瞬态的电压和电流波形的振荡幅值和振荡次数，直接决定着EMI的大小，因此需要一种新的方案来解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型调制MOS集成RG的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种新型调制MOS集成RG的方法，包括以下步骤：

S1.根据实际情况设计RG结构；

S2.版图设计定型；

S3.根据版图计算方块电阻的大小；

S4.根据方阻的大小，选择poly implant（多晶注入）的工艺条件；

S5.实施poly implant（多晶注入）的操作；

S6.最终形成RG电阻。

作为本发明的一种优选技术方案，S5还包括退火步骤。

作为本发明的一种优选技术方案，所述退火步骤的温度不超过800℃。

作为本发明的一种优选技术方案，S5中poly implant（多晶注入）包括磷和硅。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：通过多晶注入掺杂的搭配，可以实现不同RG的组合，实现不同RG的集成数值。目前现有技术，主要通过变更mask，放置不同的poly方块电阻，匹配不同电路的应用环境，具有操作简单，节约改版成本的优点。

附图说明

图1为本发明中的流程图；

图2为本发明中方块电阻RSP与gate的对比参照表。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1和图2，本发明提供了一种新型调制MOS集成RG的方法，包括以下步骤：

S1.根据实际情况设计RG结构；

S2.版图设计定型；

S3.根据版图计算方块电阻的大小；

S4.根据方阻的大小，选择poly implant（多晶注入）的工艺条件；

S5.实施poly implant（多晶注入）的操作；

S6.最终形成RG电阻。