[发明专利]一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关有效
申请号: | 202010913766.4 | 申请日: | 2020-09-03 |
公开(公告)号: | CN112072323B | 公开(公告)日: | 2023-05-26 |
发明(设计)人: | 徐弼军;闫梦瑶;孙志超;吴白瑞;程盼;吴震东 | 申请(专利权)人: | 浙江科技学院 |
主分类号: | H01Q17/00 | 分类号: | H01Q17/00 |
代理公司: | 杭州万合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33294 | 代理人: | 丁海华 |
地址: | 310012 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 金属 氧化 赫兹 开关 | ||
1.一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关,其特征在于:包括由下向上依次层叠的截面为正方形的二氧化钒层(1)和二氧化硅层(2);所述二氧化硅层(2)的表面设有金属贴片层(3),所述的金属贴片层(3)包括设置在二氧化硅层表面的方形环贴片(4),方形环贴片(4)围合的二氧化硅层(2)表面区域内设有十字形贴片(5);所述二氧化硅层(2)的厚度为10μm,宽度10μm,介电常数为3.9;所述二氧化钒层(1)的厚度为0.2μm,宽度10μm;所述方形环贴片(4)的厚度为0.2μm,方形环的外边长为4.25μm,内边长为3.25μm,宽度为0.5μm;所述十字形贴片(5)的厚度为0.2μm,长度为2.4μm,宽度为1μm;所述方形环贴片(4)和十字形贴片(5)之间的二氧化硅层(2)的表面设有呈阵列分布的石墨烯层(6),所述石墨烯层(6)的四条边沿中部分别设有波浪形的拓扑边界(7);所述石墨烯层(6)的四角处分别设有透射孔点阵(8),每个角处的透射孔点阵(8)呈正三角矩阵状;四个所述的透射孔点阵(8)之间构成阵列栅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江科技学院,未经浙江科技学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010913766.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。