[发明专利]半导体发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体发光二极管，包括位于衬底上的半导体发光叠层，所述半导体发光叠层上具有透明导电层，所述透明导电层上具有反射层，其特征在于，还包括绝缘结构，所述绝缘结构至少部分位于所述透明导电层上，所述绝缘结构具有斜侧面，所述绝缘结构的所述斜侧面围在所述透明导电层上表面边缘，所述反射层的侧面覆盖在所述绝缘结构的所述斜侧面上；

还包括与所述绝缘结构连接的绝缘区块，所述绝缘区块具有多个通孔，所述反射层覆盖所述绝缘区块，所述反射层与所述绝缘区块在所述透明导电层上形成全方向反射镜结构。

2.如权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述绝缘结构的底面同时覆盖部分所述半导体发光叠层上表面和部分所述透明导电层上表面。

3.如权利要求2所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述绝缘区块的厚度小于所述绝缘结构在所述透明导电层上的最大厚度。

4.如权利要求3所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述绝缘区块的厚度为所述绝缘结构在所述透明导电层上的最大厚度的三分之二以下。

5.如权利要求1至4任一项所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述反射层的厚度小于或者等于所述绝缘结构在所述透明导电层上的最大厚度。

6.如权利要求1所述的半导体发光二极管，其特征在于，所述反射层上具有保护层，至少部分所述保护层的侧面覆盖在所述绝缘结构的所述斜侧面上，使所述保护层的底面与侧面的夹角为钝角。

7.如权利要求2所述的半导体发光二极管，其特征在于，相邻所述半导体发光叠层之间具有孔槽，所述绝缘结构还覆盖在所述孔槽的侧壁和底部。

8.一种半导体发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成半导体发光叠层；

在所述半导体发光叠层上形成透明导电层；

形成绝缘结构及与所述绝缘结构连接的绝缘区块，所述绝缘结构至少部分形成在所述透明导电层上，所述绝缘结构具有斜侧面，所述绝缘结构的所述斜侧面围在所述透明导电层上表面边缘；

在所述透明导电层上形成反射层，所述反射层位于所述斜侧面包围的区域，所述反射层的侧面覆盖在所述绝缘结构的所述斜侧面上；

所述绝缘区块具有多个通孔，所述反射层覆盖所述绝缘区块，所述反射层与所述绝缘区块在所述透明导电层上形成全方向反射镜结构。

9.如权利要求8所述的半导体发光二极管的制备方法，其特征在于，形成所述绝缘结构的过程包括：形成绝缘材料层覆盖所述半导体发光叠层和透明导电层；在所述绝缘材料层上形成图案化的一次掩膜结构；以所述一次掩膜结构为掩模，刻蚀所述绝缘材料层，以形成具有开口的绝缘层；

将同时位于所述半导体发光叠层上表面和所述透明导电层上表面的所述绝缘层作为第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成至少部分暴露所述第一绝缘层上表面的二次掩膜结构，其中，被部分暴露的所述第一绝缘层上表面位于所述透明导电层上表面边缘的上方；

以所述二次掩膜结构为掩模，刻蚀所述第一绝缘层，剩余所述第一绝缘层被刻蚀成具有所述斜侧面的所述绝缘结构；

形成所述绝缘结构的过程还包括：

在形成所述半导体发光叠层之后，形成孔槽于所述半导体发光叠层中；

所述第一绝缘层同时覆盖上述孔槽的底部和侧壁；

在俯视方向上，所述绝缘结构的所述斜侧面围绕在所述孔槽的一周。