[发明专利]放大器和包括其的图像传感器设备在审
申请号: | 202010914035.1 | 申请日: | 2020-09-03 |
公开(公告)号: | CN112449128A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 崔承男;徐润宰;伊藤真路;金俊奭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H04N5/357 | 分类号: | H04N5/357;H04N5/374;H04N5/3745;H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张泓 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 包括 图像传感器 设备 | ||
1.一种放大器,包括:
第一电容器,连接在输入节点与浮置节点之间;
第二电容器,连接在浮置节点与输出节点之间;
放大元件,连接在电源电压与输出节点之间,并且被配置为响应于浮置节点的电压电平来操作;
电流偏置源,连接在输出节点与接地电压之间;
第一重置开关,连接在浮置节点与中间节点之间,并且被配置为响应于重置偏置来操作;
第二重置开关,连接在中间节点与输出节点之间,并且被配置为响应于重置偏置来操作;以及
重置偏置生成器电路,被配置为响应于重置信号来输出重置偏置,
其中,所述重置偏置是中间节点的重置电压、电源电压和接地电压中的一个。
2.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述第一重置开关是第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管,并且所述第二重置开关是被连接在浮置节点与输出节点之间的第二PMOS晶体管。
3.根据权利要求2所述的放大器,其中,电源电压被施加到第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管中的每一个的体节点。
4.根据权利要求2所述的放大器,其中,当重置信号被激活时,重置偏置是接地电压,并且
当重置信号被去激活时,重置偏置是重置电压。
5.根据权利要求4所述的放大器,其中,所述重置电压低于所述去激活的重置信号的电平。
6.根据权利要求2所述的放大器,其中,所述重置偏置生成器电路包括:
第一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管,连接在中间节点与偏置输出节点之间,并且被配置为响应于重置信号来操作;以及
第三PMOS晶体管,连接在偏置输出节点与接地电压之间,并且被配置为响应于重置信号来操作,
其中,通过偏置输出节点来输出重置偏置。
7.根据权利要求2所述的放大器,其中,所述重置偏置生成器电路包括:
第一反相器,被配置为反相所述重置信号并且生成反相重置信号;以及
第二反相器,被配置为基于重置电压使所述反相重置信号再次反相并且输出重置偏置。
8.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述第一重置开关是第一n型金属氧化物半导体(nMOS)晶体管,并且所述第二重置开关是连接在浮置节点与输出节点之间的第二NMOS晶体管。
9.根据权利要求8所述的放大器,其中,所述重置偏置生成器电路包括:
第三NMOS晶体管,连接在中间节点与偏置输出节点之间,并且被配置为响应于重置信号来操作;以及
第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管,连接在偏置输出节点和电源电压之间,并且被配置为响应于重置信号来操作,
其中,通过所述偏置输出节点来输出重置偏置。
10.根据权利要求9所述的放大器,其中,当所述重置信号被激活时,所述重置偏置是所述电源电压,并且当所述重置信号被去激活时,所述重置偏置是所述重置电压,并且
其中,所述第一和第二NMOS晶体管响应于所述重置偏置是所述电源电压而被导通。
11.一种放大器,包括:
放大电路,包括连接在输入节点与浮置节点之间的第一电容器,并且被配置为基于通过输入节点接收的输入电压的改变、通过输出节点来输出输出电压;
重置开关,连接在浮置节点与输出节点之间,并且被配置为响应于重置偏置将浮置节点和输出节点重置为重置电压;以及
重置偏置生成器电路,被配置为响应于重置信号基于重置电压来输出重置偏置。
12.根据权利要求11所述的放大器,其中,所述放大电路进一步包括:
第二电容器,连接在浮置节点与输出节点之间;
放大元件,连接在电源电压与输出节点之间;以及
电流偏置源,连接在输出节点与接地电压之间。
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