[发明专利]封装结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010914208.X | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN113451148A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 余正富;史凯日;柳怡蓉 | 申请（专利权）人： | 美商矽成积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;B23K26/38 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 结构 形成 方法 | ||
1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包含：
一蚀刻步骤，其中对一导线架的多个切割道进行蚀刻；
一激光步骤，其中以一激光光束移除覆盖各该切割道上的一塑胶封装材料；
一电镀步骤，其中多个电镀面设置于该导线架上该塑胶封装材料未覆盖的多个区域；以及
一切割步骤，其中切割该导线架的所述多个切割道以形成一封装结构。
2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，还包含：
一模压步骤，其中该塑胶封装材料于该激光步骤前覆盖于该导线架。
3.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该蚀刻步骤中的一蚀刻深度小于或等于该导线架的一厚度的一半。
4.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该激光步骤中，该激光光束移除该导线架的所述多个切割道的一上表面的一部分。
5.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该切割步骤中，该导线架的所述多个切割道由一刀具切割。
6.如权利要求5所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该刀具的切割宽度小于或等于该蚀刻步骤的蚀刻宽度。
7.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该激光步骤的该激光光束为二极管泵浦掺钕钒酸钇，其输出功率为10瓦至40瓦，其波长为355纳米、532纳米或1064纳米，其脉冲形式为连续波，且脉冲频率为60千赫兹至200千赫兹。
8.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该激光步骤包含一第一激光步骤与一第二激光步骤，且该第二激光步骤于该第一激光步骤后进行。
9.如权利要求8所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该第一激光步骤为该激光光束移除覆盖各该切割道的一上表面的该塑胶封装材料。
10.如权利要求9所述的封装结构的形成方法，其特征在于，该第二激光步骤为该激光光束移除覆盖各该切割道的一下表面的该塑胶封装材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
