[发明专利]一种驱动电路及其驱动方法

权利要求书

1.一种驱动电路，其特征在于，包括：

第一薄膜晶体管，用于感应产生光电流，其栅极连接至第一扫描信号线，其漏极连接至一第一电源电压；

第二薄膜晶体管，用于放大所述光电流，其栅极连接至所述第一薄膜晶体管的源极，其漏极连接至第二电源电压；

第三薄膜晶体管，用于控制所述光电流的读取时序，其栅极连接至第二扫描信号线，其漏极连接至所述第二薄膜晶体管的源极，其源极连接至读取线；以及

第一存储电容，其一端连接至所述第一薄膜晶体管的栅极，其另一端连接至所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，还包括：

第二存储电容，其一端连接至所述第二薄膜晶体管的源极和所述第三薄膜晶体管的漏极，其另一端连接至接地端。

3.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，还包括：

第四薄膜晶体管，用于复位所述光电流，其栅极连接至复位信号线，其漏极连接至所述第一存储电容的另一端和所述第二薄膜晶体管的栅极，其源极连接至第三电源电压。

4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，还包括：

第二存储电容，其一端连接至所述第二薄膜晶体管的源极和所述第三薄膜晶体管的漏极，其另一端连接至接地端。

5.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，

所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管中的任一种。

6.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，

所述第一电源电压、所述第二电源电压的范围均为-20v至+20v。

7.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述第三电源电压范围为-10v至0v。

8.根据权利要求1-7任一项所述的驱动电路的驱动方法，其特征在于，所述驱动方法包括如下步骤：

初始阶段，在光环境下，向所述第一薄膜晶体管的栅极输入第一扫描信号，向所述第一薄膜晶体管的漏极施加所述第一电源电压，所述第一薄膜晶体管被打开且产生所述光电流，所述光电流由所述第一薄膜晶体管的源极分支流向所述第一存储电容和所述第二薄膜晶体管，其中，流向所述第二薄膜晶体管的光电流对应形成的所述第二薄膜晶体管的栅极的开启电压；

放大光电流阶段，向所述第二薄膜晶体管的漏极施加所述第二电源电压，所述第二薄膜晶体管的漏极产生漏电流，并放大流向所述第二薄膜晶体管的光电流；以及

获取光电流阶段，向所述第三薄膜晶体管的栅极输入第二扫描信号，打开所述第三薄膜晶体管，关闭所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一存储电容的电压从所述第三薄膜晶体管的源极释放，所述读取线读出流向所述第二薄膜晶体管的光电流。

9.根据权利要求8所述的驱动电路的驱动方法，其特征在于，

所述放大光电流阶段的步骤还包括，

当放大流向所述第二薄膜晶体管的光电流时，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之间产生放大电压，该放大电压被存储于所述第二存储电容中，并作为所述第三薄膜晶体管的漏极电压；

所述获取光电流阶段的步骤还包括，所述第二存储电容的放大电压从所述第三薄膜晶体管的源极释放。

10.根据权利要求8或9所述的驱动电路的驱动方法，其特征在于，

在所述获取光电流阶段之后，还包括：

复位阶段，向所述第四薄膜晶体管的栅极输入复位信号，以及所述第四薄膜晶体管的源极施加所述第三电源电压，所述第四薄膜晶体管的漏极拉低所述第一薄膜晶体管的源极电压，所述第二薄膜晶体管处于关闭状态。