[发明专利]电容式MEMS芯片驱动电路、电容式MEMS传感器及智能电子设备

说明书

本发明公开一种电容式MEMS芯片驱动电路、电容式MEMS传感器及智能电子设备，该电容式MEMS芯片驱动电路包括：上桥驱动电路，被配置为输出上桥开关信号；下桥驱动电路，被配置为输出下桥开关信号；桥臂电路，桥臂电路的两个受控端分别与上桥驱动电路及下桥驱动电路连接，桥臂电路根据接收到的上桥开关信号及下桥开关信号工作，以产生方波驱动信号并输出；斜率控制电路，斜率控制电路的输入端分别与上桥驱动电路及下桥驱动电路连接，斜率控制电路的输出端与桥臂电路的输出端连接；斜率控制电路，被配置为对上桥开关信号及下桥开关信号的大小进行调节，以驱动桥臂电路产生正弦波驱动信号。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，特别涉及一种电容式MEMS芯片驱动电路、电容式MEMS传感器及智能电子设备。

背景技术

电容式MEMS传感器通常需要设置一电压驱动电路，以使其产生电性信号，并输出至与其搭配的读取芯片，并进行运算后，转换获得感测对应的压力信号。电压驱动电路通常提供的是方波信号，而MEMS传感器对应的输出信号也为方波且包含高频阻尼(damping)信号，这样会导致检测延时，并且增加芯片电路复杂度甚至因此增加噪声。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种电容式MEMS芯片驱动电路、电容式MEMS传感器及智能电子设备，旨在解决提高MEMS传感器的检测准确性。

为实现上述目的，本发明提出一种电容式MEMS芯片驱动电路，所述电容式MEMS芯片驱动电路包括：

上桥驱动电路，被配置为输出上桥开关信号；

下桥驱动电路，被配置为输出下桥开关信号；

桥臂电路，所述桥臂电路的两个受控端分别与所述上桥驱动电路及下桥驱动电路连接，所述桥臂电路根据接收到的所述上桥开关信号及下桥开关信号工作，以产生方波驱动信号并输出；

斜率控制电路，所述斜率控制电路的输入端分别与所述上桥驱动电路及下桥驱动电路连接，所述斜率控制电路的输出端与所述桥臂电路的输出端连接；所述斜率控制电路，被配置为对所述上桥开关信号及下桥开关信号的大小进行调节，以驱动所述桥臂电路产生正弦波驱动信号。

可选地，所述桥臂电路包括上桥臂开关及下桥臂开关，所述上桥臂开关的受控端与所述上桥驱动电路连接，所述下桥臂开关的受控端与所述下桥驱动电路的输出端连接，所述上桥臂开关及下桥臂开关的公共端与MEMS传感器的电源端连接。

可选地，所述斜率控制电路包括第一控制开关、第二控制开关及第一电容，所述第一控制开关的输入端与所述上桥驱动电路连接，所述第二控制开关的输入端与所述下桥驱动电路的输出端连接；所述第一控制开关和所述第二控制开关的输出端与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端与所述上桥臂开关及下桥臂开关的公共端连接。

可选地，上桥驱动电路包括第一开关管、第二开关管及驱动电流产生电路，所述第一开关管、所述第二开关管及所述第一驱动电流产生电路串联设置，所述第一开关管及所述第二开关管的公共端为所述上桥驱动电路的输出端。

可选地，所述驱动电流产生电路包括第一运算放大器、第三开关管、第四开关管、第五开关管及第一温敏电阻式温度补偿电路，所述第三开关管的漏极与所述温敏电阻式温度补偿电路及所述第一运算放大器的第一输入端连接，所述第三开关管的栅极与所述第一运算放大器的输出端连接，所述第三开关管的源极与所述第四开关管的栅极和漏极，及所述第五开关管的栅极连接；所述第四开关管的源极及所述第五开关管的源极接入第一直流电源；所述第五开关管的漏极与所述第二开关管连接。

可选地，上桥驱动电路包括第六开关管、第七开关管及第二驱动电流产生电路，所述第六开关管、所述第七开关管及所述第二驱动电流产生电路串联设置，所述第六开关管及所述第七开关管的公共端为所述上桥驱动电路的输出端。