[发明专利]显示面板有效
申请号: | 202010914606.1 | 申请日: | 2020-09-03 |
公开(公告)号: | CN112086468B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 王威;张伟彬 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
本发明提供一种显示面板,其中,第一电源线通过至少一第一过孔电连接于所述第一电容,第一电容电连接于第一驱动薄膜晶体管,第一驱动薄膜晶体管电连接于第一OLED器件;第二电源线通过至少一第二过孔电连接于第二电容,第二电容电连接于第二驱动薄膜晶体管,第二驱动薄膜晶体管电连接于第二OLED器件;至少一第一过孔的开孔面积为第一开孔面积,至少一第二过孔的开孔面积为第二开孔面积,第一开孔面积大于第二开孔面积。本申请设置第一开孔面积大于第二开孔面积,以增大第一驱动薄膜晶体管的去氢效果,改变第一驱动薄膜晶体管的电性,进而改善画面的残影现象。
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域,特别涉及一种显示面板。
背景技术
在有源矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示面板中,由于采用低温多晶硅工艺制作的薄膜晶体管具有严重的迟滞效应,会带来晶体管输出电流的波动,从而导致其控制的OLED器件亮度偏离设计值。这种效应反应在显示画面中则表现为残影,并且画面的残像水平与画面呈强相关;也就是说在相同灰阶下,绿画面残影现象严重,红画面残影现象较轻。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板,以解决现有的OLED面板采用低温多晶硅工艺制作的薄膜晶体管具有严重的迟滞效应,会带来晶体管输出电流的波动,从而导致在相同灰阶下,绿画面和/或红画面出现残影的技术问题。
本发明实施例提供一种显示面板,包括第一驱动薄膜晶体管、第二驱动薄膜晶体管、第一电容、第二电容、第一电源线、第二电源线、第一OLED器件和第二OLED器件,所述第一OLED器件和所述第二OLED器件各自发出的光颜色不同;
所述第一电源线通过至少一第一过孔电连接于所述第一电容,所述第一电容电连接于所述第一驱动薄膜晶体管,所述第一驱动薄膜晶体管电连接于所述第一OLED器件;所述第二电源线通过至少一第二过孔电连接于所述第二电容,所述第二电容电连接于所述第二驱动薄膜晶体管,所述第二驱动薄膜晶体管电连接于所述第二OLED器件;
所述至少一第一过孔的开孔面积为第一开孔面积,所述至少一第二过孔的开孔面积为第二开孔面积,所述第一开孔面积大于所述第二开孔面积。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一OLED器件为绿色OLED器件,所述第二OLED器件为第一非绿色OLED器件。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述显示面板还包括第三驱动薄膜晶体管、第三电容、第三电源线、第二非绿色OLED器件;
所述第三电源线通过至少一第三过孔电连接于所述第三电容,所述第三电容电连接于所述第三驱动薄膜晶体管,所述第三驱动薄膜晶体管电连接于所述第二非绿色OLED器件;
所述至少一第三过孔的开孔面积为第三开孔面积,所述第一开孔面积大于所述第三开孔面积。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一非绿色OLED器件为红色OLED器件和蓝色OLED器件中的一者,所述第二非绿色OLED器件为红色OLED器件和蓝色OLED器件中的另一者。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第二开孔面积等于所述第三开孔面积。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一非绿色OLED器件为红色OLED器件,所述第二非绿色OLED器件为蓝色OLED器件;
所述第二开孔面积大于所述第三开孔面积。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一过孔的数量分别大于所述第二过孔的数量和所述第三过孔的数量。
在本申请实施例所述的显示面板中,所述第一过孔的数量分别等于所述第二过孔的数量和所述第三过孔的数量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的