[发明专利]具有可配置的性能及缺陷管理的存储器装置在审

专利信息
申请号: 202010914970.8 申请日: 2020-09-03
公开(公告)号: CN112445722A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: J·黄;罗贤钢;K·坦派罗 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 配置 性能 缺陷 管理 存储器 装置
【说明书】:

本申请案涉及一种具有可配置的性能及缺陷管理的存储器装置。存储器装置包括存储器控制单元,所述存储器控制单元包含处理器,所述处理器经配置以控制所述存储器阵列的操作;监视所述存储器阵列对所述P/E周期、错误管理操作、DWPD及功耗的操作条件;确定何时满足用于所述多个操作条件中的一个的边界条件;及响应于确定满足第一监视操作条件的第一边界条件,改变所述第一存储器管理协议的一或多个操作条件以建立用于所述存储器存取操作的第二存储器管理协议,所述第二存储器管理协议包含第二监视操作条件的改变边界条件。

技术领域

发明的实施例涉及受管存储器装置,且更具体地涉及一种可提供多种配置以解决存储器系统的多个竞争要求的存储器装置。

背景技术

存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器,包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持数据且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)以及其它存储器。非易失性存储器可通过在未供电时留存所存储数据而提供永久数据,且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器,例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)及磁阻式随机存取存储器(MRAM)、3D XPointTM存储器以及其它存储器。

存储器单元通常布置成矩阵或阵列。可将多个矩阵或阵列组合到存储器装置中,且可将多个装置组合以形成存储器系统的存储卷,例如固态驱动器(SSD)、通用快闪存储(UFSTM)装置、多媒体卡(MMC)固态存储装置,嵌入式MMC装置(eMMCTM)等,如下文进一步所论述。

具有存储器装置的电子系统的实施方案具有不同的要求。例如,可能期望对一个系统的存储器装置的性能予以重视,而可能期望对另一系统的存储器装置的存储器阵列的耐久性予以重视。存储器系统的不同要求之间可能会存在折衷。通常,给定存储器装置专门设计用于在竞争需求之间提供所要折衷。很难提供一种能够满足不同系统需求的存储器装置产品。将从当前已知系统的操作及互操作性中的一个或两个方面的改进中受益。

发明内容

本发明的一个方面涉及一种存储器装置,其包括:存储器阵列,其包含存储器单元;接口,其经配置以接收存储器存取请求;及存储器控制单元,其可操作地耦合到所述存储器阵列及所述接口,所述存储器控制单元包括处理器,所述处理器经配置以执行存储在所述存储器装置上的指令,所述指令在由所述处理器执行时致使所述处理器执行以下操作:根据用于存储器存取操作的第一存储器管理协议来控制所述存储器阵列的操作,所述第一存储器管理协议包含用于多个操作条件的边界条件,所述多个操作条件包括编程/擦除(P/E)周期、错误管理操作、每天驱动器写入(DWPD)及功耗;监视所述存储器阵列对所述P/E周期、错误管理操作、DWPD及功耗的操作条件;确定何时满足用于所述多个操作条件中的一个的边界条件;及响应于确定满足用于第一监视操作条件的第一边界条件,改变所述第一存储器管理协议的一或多个操作条件以建立用于所述存储器存取操作的第二存储器管理协议,所述第二存储器管理协议包含第二监视操作条件的改变边界条件。

本发明的另一方面涉及一种操作存储器装置的方法,所述方法包括:接收来自主机装置的对所述存储器装置的存储器阵列的存储器存取请求;根据第一存储器管理协议存取所述存储器装置的所述存储器阵列,所述第一存储器管理协议包含用于多个操作条件的边界条件,所述多个操作条件包括编程/擦除(P/E)周期、错误管理操作、每天驱动器写入(DWPD)及功耗;监视所述存储器阵列对所述P/E周期、错误管理操作、DWPD及功耗的操作条件;确定何时满足用于所述多个操作条件中的一个的边界条件;及响应于确定满足用于第一监视操作条件的第一边界条件,改变所述第一存储器管理协议的一或多个操作条件以建立用于所述存储器存取操作的第二存储器管理协议,所述第二存储器管理协议包含第二监视操作条件的改变边界条件。

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