[发明专利]一种过流保护电路有效

专利信息
申请号: 202010915100.2 申请日: 2020-09-03
公开(公告)号: CN112165067B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 唐永生;李雪民;张宏根;徐银森 申请(专利权)人: 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
主分类号: H02H3/08 分类号: H02H3/08;H02H7/20
代理公司: 东莞高瑞专利代理事务所(普通合伙) 44444 代理人: 杨英华
地址: 629000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种过流保护电路,其特征在于,包括:

功率输出管PM0,功率输出管PM0的源极连接工作电压VDD;

过流检测电路,与功率输出管PM0线路连接、检测功率输出管PM0的输出电压,所述过流检测电路通过比较输出电压与参考电压的大小、以使所述过流检测电路判断功率输出管PM0中流过的电流是否过大并且输出控制电压VCTRL控制功率输出管PM0的开关;

所述过流检测电路包括:

第一电流镜,输入级输入直流电流I0;

第二电流镜,与第一电流镜线路连接,其输入级连接工作电压VDD、输出级连接电阻R1;

D触发器DFF,电阻R1通过串联的第一反相器A1和第二反相器A2与所述D触发器DFF的CLK输入端线路连接,所述D触发器DFF的输入端D与工作电压VDD相连,输出端Q输出控制电压VCTRL至输出管PM0的栅极;所述功率输出管PM0的漏极通过串联的第三反相器A3和第四反相器A4线路连接至D触发器DFF的RESETN输入端。

2.根据权利要求1所述的过流保护电路,其特征在于:所述第一电流镜包括零号NMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,零号NMOS管作为输入级连接直流电流I0,第二NMOS管作为输出级与电阻R1及第一反相器A1连接。

3.根据权利要求2所述的过流保护电路,其特征在于:所述第二NMOS管的源极与漏极两端并联有电容C1。

4.根据权利要求2所述的过流保护电路,其特征在于:所述第二电流镜包括第二PMOS管和第四PMOS管,其中第二PMOS管与第一NMOS管线路连接,第四PMOS管的漏极与电阻R1线路连接。

5.根据权利要求4所述的过流保护电路,其特征在于:所述第二PMOS管和第四PMOS管分别线路连接有第一PMOS管和第三PMOS管,其中第一PMOS管和第三PMOS管的源极连接工作电压VDD,第一PMOS管的栅极连接电路公共接地端VSS,第三PMOS管的栅极与功率输出管PM0的漏极相连。

6.根据权利要求5所述的过流保护电路,其特征在于:所述零号NMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管的源极及电容C1的一端电路公共接地端VSS。

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