[发明专利]包括数据存储图案的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

下结构；

堆叠结构，所述堆叠结构位于所述下结构上并且具有开口；

垂直结构，所述垂直结构位于所述开口中；

接触结构，所述接触结构位于所述垂直结构上；以及

导电线，所述导电线位于所述接触结构上，

其中，所述堆叠结构包括多个栅极层和多个层间绝缘层，

其中，所述垂直结构包括绝缘芯区域、沟道半导体层、多个数据存储图案、第一电介质层和第二电介质层，

其中，所述绝缘芯区域沿垂直方向延伸，所述垂直方向垂直于所述下结构的上表面，

其中，所述沟道半导体层覆盖所述绝缘芯区域的侧表面和下表面，

其中，所述多个数据存储图案位于所述沟道半导体层与所述多个栅极层之间，并且在所述垂直方向上彼此间隔开，

其中，所述第一电介质层的至少一部分设置在所述多个数据存储图案与所述多个栅极层之间，

其中，所述第二电介质层的至少一部分设置在所述多个数据存储图案与所述沟道半导体层之间，并且

其中，所述绝缘芯区域在面对所述多个栅极层的区域中包括具有增加的宽度的多个第一凸部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述绝缘芯区域还包括：在面对所述多个层间绝缘层的区域中的多个第二凸部以及位于所述多个第一凸部与所述多个第二凸部之间的凹部，所述多个第二凸部具有增加的宽度，所述凹部具有减小的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述多个数据存储图案中的每一者包括第一侧表面和第二侧表面，所述第一侧表面面对所述多个栅极层中的相应的栅极层，所述第二侧表面面对所述沟道半导体层，

其中，所述多个数据存储图案中的每一者包括：与所述第一侧表面相邻的第一部分、与所述第二侧表面相邻的第二部分、以及位于所述第一部分与所述第二部分之间的最小垂直厚度部分，并且

其中，所述最小垂直厚度部分的垂直厚度小于所述第一部分的最大垂直厚度和所述第二部分的最大垂直厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述最小垂直厚度部分与所述第一侧表面之间的距离小于所述最小垂直厚度部分与所述第二侧表面之间的距离。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述最小垂直厚度部分与所述第一侧表面之间的距离大于所述最小垂直厚度部分与所述第二侧表面之间的距离。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述多个数据存储图案中的每一者包括第一侧表面和第二侧表面，所述第一侧表面面对所述多个栅极层中的相应的栅极层，所述第二侧表面面对所述沟道半导体层，

其中，所述多个数据存储图案中的至少一部分数据存储图案还包括位于所述第一侧表面与所述第二侧表面之间的空隙，并且

其中，所述空隙与所述第一侧表面之间的距离大于所述空隙与所述第二侧表面之间的距离。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述多个数据存储图案中的每一者包括第一侧表面和第二侧表面，所述第一侧表面面对所述多个栅极层中的相应的栅极层，所述第二侧表面面对所述沟道半导体层，

其中，所述多个数据存储图案中的至少一部分数据存储图案还包括位于所述第一侧表面与所述第二侧表面之间的空隙，并且

其中，所述空隙与所述第一侧表面之间的距离小于所述空隙与所述第二侧表面之间的距离。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述多个数据存储图案中的每一者包括第一侧表面和第二侧表面，所述第一侧表面面对所述多个栅极层中的相应的栅极层，所述第二侧表面面对所述沟道半导体层，并且

其中，所述第二侧表面的至少一部分是凹形形状。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个数据存储图案中的每一者的上表面和下表面中的至少一者是凹形形状。