[发明专利]IGBT驱动电路

说明书

本申请提供一种IGBT驱动电路，包括：绝缘栅双极型晶体管、软导通模块和软关断模块。软导通模块与绝缘栅双极型晶体管的门极连接，软导通模块包括第一场效应管和至少2个晶体管导通电路；第一场效应管用于接收第一脉冲宽度调制信号，第一脉冲宽度调制信号用于驱动第一场效应管以及至少2个晶体管导通电路依次导通；软关断模块与绝缘栅双极型晶体管的门极连接，软关断模块包括第二场效应管和至少2个晶体管关断电路；第二场效应管用于接收第二脉冲宽度调制信号，第二脉冲宽度调制信号用于驱动第二场效应管导通以及至少2个晶体管关断电路依次导通。本申请的IGBT驱动电路可以提高IGBT的使用可靠性。

技术领域

本申请涉及电力电子技术，尤其涉及一种IGBT驱动电路。

背景技术

大功率绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)因为具有电压型驱动、驱动简单、开关频率高、饱和压降低、可耐高电压大电流和高可靠性等特点，被广泛应用于轨道交通、电力领域、新能源等各个传统和新兴的领域。在IGBT的运行中，IGBT的门极驱动电路对于IGBT的可靠运行至关重要，该门极驱动电路用于控制IGBT的导通和关断。

现有技术中IGBT的门极驱动电路一般是采用三极管和单一的门极驱动电阻串联作为门极驱动电路，在控制IGBT的导通和关断时，不能兼顾IGBT的开关损耗、电流尖峰、电压尖峰，容易导致IGBT的开关损耗过大，或者导通和关断过程中产生的电流尖峰和电压尖峰过大导致IGBT损坏。

综上，现有技术中IGBT的门极驱动电路容易给IGBT的运行带来安全隐患，致使IGBT的使用可靠性降低的问题。

发明内容

本申请提供一种IGBT驱动电路，用以解决现有技术中IGBT的门极驱动电路容易给IGBT的运行带来安全隐患，致使IGBT的使用可靠性降低的问题。

一方面，本发明提供一种IGBT驱动电路，包括：

绝缘栅双极型晶体管；

软导通模块，与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接，所述软导通模块包括第一场效应管和至少2个晶体管导通电路，所述至少2个晶体管导通电路与所述第一场效应管连接；所述第一场效应管用于接收第一脉冲宽度调制信号，所述第一脉冲宽度调制信号用于驱动所述第一场效应管导通，以基于所述至少2个晶体管导通电路导通所述绝缘栅双极型晶体管；所述至少2个晶体管导通电路包括至少2个不同的晶体管导通电路；

软关断模块，与所述绝缘栅双极型晶体管的门极连接，所述软关断模块包括第二场效应管和至少2个晶体管关断电路，所述至少2个晶体管关断电路与所述第二场效应管连接；所述第二场效应管用于接收第二脉冲宽度调制信号，所述第二脉冲宽度调制信号用于驱动所述第二场效应管导通，以基于所述至少2个晶体管关断电路导通所述绝缘栅双极晶体管；所述至少2个晶体管关断电路包括至少2个不同的晶体管关断电路。

其中一项实施例中，所述至少2个晶体管导通电路包括第一晶体管导通电路、第二晶体管导通电路和第三晶体管导通电路，其中，

所述第二晶体管导通电路包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的第一端与所述第一场效应管的漏极连接，所述电阻R1的第二端与所述电阻R2的第一端连接，所述电阻R2的第二端用于和正极电源连接；

所述第一晶体管导通电路的第一端与所述电阻R1的第二端连接，且与所述电阻R2的第一端连接；所述第一晶体管导通电路的第二端用于和所述正极电源连接；

所述第三晶体管导通电路的第一端与所述第一场效应管的漏极连接，所述第三晶体管导通电路的第二端用于和所述正极电源连接；

所述第一场效应管导通以驱动所述第一晶体管导通电路运行；

所述第一晶体管导通电路运行以驱动所述第二晶体管导通电路运行；