[发明专利]霍尔元件及制备霍尔元件的方法

权利要求书

1.一种霍尔元件，其特征在于，包括：

衬底；

十字形功能区，形成在所述衬底上，所述十字形功能区的交叉区域具有凹部；

电极层，设置在所述十字形功能区的端部；

钝化层，覆盖所述十字形功能区的暴露区域。

2.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述衬底包括半导体单晶衬底。

3.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述衬底包括GaAs衬底、InP衬底或Si衬底。

4.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述十字形功能区包括GaAs、InAs、InSb、InGaAs、或InGaAsP。

5.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述凹部位于所述十字形功能区的顶部。

6.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述凹部的面积等于或小于所述十字形功能区的交叉区域的面积。

7.根据权利要求5所述的霍尔元件，其特征在于：

所述凹部的深度为所述十字形功能区的厚度的10％至90％。

8.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述钝化层包括氧化硅、氧化铝、氮化硅、和/或氮氧化硅。

9.根据权利要求1所述的霍尔元件，其特征在于：

所述电极层包括金属电极。

10.一种制备霍尔元件的方法，其特征在于，包括：

准备衬底；

在所述衬底上形成功能层；

蚀刻所述功能层，形成十字形功能区；

在所述十字形功能区的交叉区域形成凹部；

在所述十字形功能区的端部形成电极层；

形成覆盖所述十字形功能区的暴露区域的钝化层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成功能层，包括：

采用外延生长或离子注入在所述衬底上形成所述功能层。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述蚀刻所述功能层，形成十字形功能区，包括：

形成覆盖所述功能层的光致抗蚀剂图案；

利用所述光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻所述功能层，形成所述十字形功能区。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述十字形功能区制备凹部，包括：

形成覆盖所述衬底及所述十字形功能层的光致抗蚀剂层；

图案化所述光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案，所述光致抗蚀剂图案暴露所述十字形功能层的交叉区域的至少一部分；

以所述光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻所述交叉区域的暴露部分，形成所述凹部。

14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述十字形功能区端部形成电极层，包括：

采用沉积方式形成金属电极材料层；

采用剥离或蚀刻的方式，从所述金属电极材料层形成金属电极；

对所述金属电极进行退火工艺，从而在所述金属电极与所述十字形功能层之间形成欧姆接触。

15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖所述十字形功能区的暴露区域的钝化层，包括：

采用PECVD或者溅射在所述十字形功能区的暴露区域上形成所述钝化层。

16.根据权利要求10所述的方法，其特征在于：

所述衬底包括GaAs衬底、InP衬底或Si衬底。