[发明专利]图像传感器像素结构有效

专利信息
申请号: 202010918056.0 申请日: 2020-09-03
公开(公告)号: CN112004038B 公开(公告)日: 2022-08-12
发明(设计)人: 黄金德;王林 申请(专利权)人: 锐芯微电子股份有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张凤伟;吴敏
地址: 215300 江苏省苏州市昆山市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 像素 结构
【说明书】:

一种图像传感器像素结构,适于在同一次曝光过程中,获得目标场景的第一帧图像及第二帧图像,以将所述第一帧图像及第二帧图像融合为一帧图像。所述像素结构包括:信号存储使能电路、第一电荷存储电路及第二电荷存储电路;所述信号存储使能电路,适于启动及停止信号储存过程;所述第一电荷存储电路,与所述浮动扩散节点耦接,适于在信号储存过程启动后,存储所述第二帧图像对应的曝光信号;所述第二电荷存储电路,与所述第一源跟随电路耦接,适于在信号储存过程启动后,存储所述第一帧图像对应的曝光信号及复位信号。应用上述方案,在提高感光灵敏度的同时,使得CMOS图像传感器具有较高的动态范围。

技术领域

发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种图像传感器像素结构。

背景技术

图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。

图像传感器分为互补金属氧化物(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD)图像传感器。其中CMOS图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。因此,随着图像传感技术的发展,CMOS图像传感器越来越多地取代CCD图像传感器应用于各类电子产品中。

为了提高CMOS图像传感器的暗光性能,需要提高图像传感器的感光灵敏度。

然而,现有的CMOS图像传感器,感光灵敏度虽然较高,但动态范围却较小,无法满足全局曝光下高动态范围应用的需求。

发明内容

本发明解决的技术问题是:在提高CMOS图像传感器感光灵敏度的同时,使得CMOS图像传感器具有较高的动态范围。

为解决上述技术问题,本发明实施例提供一种图像传感器像素结构,适于在同一次曝光过程中,获得目标场景的第一帧图像及第二帧图像,以将所述第一帧图像及第二帧图像融合为一帧图像;所述第一帧图像的增益,大于所述第二帧图像的增益;所述像素结构包括:光电转换电路、传输电路、第一源跟随电路、信号存储使能电路、第一电荷存储电路、第二电荷存储电路及复位电路;其中:

所述光电转换电路,适于将光信号转换为曝光信号;

所述传输电路,与所述光电转换电路耦接,适于将所述曝光信号传输至浮动扩散节点;

所述第一源跟随电路,与所述浮动扩散节点耦接,适于对所述浮动扩散节点的电压进行跟随;

所述信号存储使能电路,耦接于所述第一源跟随电路及第二电荷存储电路之间,适于启动及停止信号储存过程;

所述第一电荷存储电路,与所述浮动扩散节点耦接,适于在信号储存过程启动后,存储所述第二帧图像对应的曝光信号;

所述第二电荷存储电路,与所述第一源跟随电路耦接,适于在信号储存过程启动后,存储所述第一帧图像对应的曝光信号及复位信号;

所述复位电路,与所述第一电荷存储电路、第二电荷存储电路、浮动扩散节点及光电转换电路耦接,适于信号存储过程中,对所述第一电荷存储电路、第二电荷存储电路、浮动扩散节点及光电转换电路进行复位,以使得第一电荷存储电路及第二电荷存储电路存储相应的信号;以及适于在读取第二帧图像对应的曝光信号后,对所述第一电荷存储电路及浮动扩散节点进行复位,以获得第二帧图像对应的复位信号。

可选地,所述第一电荷存储电路,包括:第一开关子电路及第一电容;其中:

所述第一开关子电路,与所述浮动扩散节点耦接,适于控制所述第一电容与所述浮动扩散节点之间的通断;

所述第一电容,适于存储所述第二帧图像对应的曝光信号。

可选地,所述第一开关子电路,包括:

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